2015年全球集成电路技术发展和主要产品分析

发布时间：2017-10-03 16:49

  本文关键词：2015年全球集成电路技术发展和主要产品分析

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【摘要】：2015年全球CMOS技术从22/20nm节点迅速过渡到16/14nm节点,移动智能终端芯片愈益采用16/14nm制程。预计10nm技术2016年底进入量产,FD-SOI(全耗尽SOI)技术异军突起。全球技术领先厂商的技术各显神通。2015年全球集成电路主要产品中,市场规模存储器超越CPU,新型半导体存储器技术正在寻求新突破。
【作者单位】： 上海市集成电路行业协会;
【关键词】： 集成电路 智能终端芯片 半导体存储器 微处理器
【分类号】：TN409;F416.6
【正文快照】： 1 2015年全球集成电路技术的新进展 1.1 2015年全球集成电路制程技术从28/22nm节点全面过渡到16/14nm节点 近3年来在28nm制程经历了全盛时期之后,2015年全球CMOS技术又从22/20nm节点迅速过渡到16/14nm节点。 在2 0 1 4年第三季度以前台积电一直是2 8 n m Poly Si ON和HK/

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本文编号：965588