线缺陷对硅烯输运性质的影响

发布时间：2017-12-20 20:18

  本文关键词：线缺陷对硅烯输运性质的影响　出处：《河北师范大学》2017年硕士论文　论文类型：学位论文

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【摘要】：硅烯因其特殊的输运性质,近年来,在二维半导体材料的研究中一直是一个活跃的研究课题。本文采用紧束缚近似理论和非平衡格林函数的方法,理论计算并分析了锯齿形边界单层硅烯纳米条带上存在线缺陷时的电子输运特性。在硅烯纳米条带中移去一个硅原子,即形成了硅烯空位缺陷模型。外加垂直于硅烯纳米条带的电场,考虑硅烯材料本征自旋轨道耦合和Rashba自旋轨道耦合对体系的影响,利用非平衡格林函数和分通道计算透射系数的方法,探索线缺陷对硅烯纳米条带输运性质的影响。研究结果表明:线缺陷的存在使电荷局域性增强,传输总电导减小;中间导区宽度越大,总电导越大;线缺陷在中间位置时比线缺陷在上边缘时对总电导的影响更大;存在线缺陷时,随着Rashba自旋轨道耦合强度的增大和电场强度的增大,总电导均减小;线缺陷的存在对K谷电导率和K?谷电导率产生影响,但是对完美谷极化区域影响不大,可以用来制作谷阀;费米能处于体带隙中,线缺陷对谷内和谷间电导影响不大,谷内谷间极化率仍为100%,但是当费米能增大打开体态时,线缺陷对谷间电导影响很大,谷内谷间极化率也出现明显震荡。我们期望通过本文的研究,可以发现硅烯更多的新奇特性,为制造谷相关的电子学纳米器件提供一定的理论基础,促进硅烯与现代电子工业相结合,期待其成为在纳米技术应用方面最具潜力的材料。
【学位授予单位】：河北师范大学
【学位级别】：硕士
【学位授予年份】：2017
【分类号】：O469

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本文编号：1313275