a-Si:H/c-Si p-i-n结构的侧向光伏效应测试与调控

发布时间:2021-11-04 03:01
  侧向光伏效应(LPE)是指当点光源照射p-n结,金属半导体结或半导体异质结时,在平行于结的一侧可以测到电压差的现象。侧向光伏效应的主要特点是输出光电压随激光光斑位置呈现线性变化,利用该特点可以制成位置灵敏探测器(PSD)。a-Si:H/c-Si p-i-n结构起源于太阳能电池的研究,因其成本低廉,转换效率高等优势很快被应用于诸多光电子器件。本论文主要针对a-Si:H/c-Si p-i-n结构在侧向光伏效应方面的应用潜质进行了系统的研究。1、激光功率、波长和电极距离与a-Si:H/c-Si p-i-n结构的侧向光伏效应关系密切。当激光功率较小时,灵敏度随激光功率线性增长;当激光功率继续增大时,灵敏度增长速度减慢并逐渐达到饱和。相同功率下灵敏度随波长增加而增大。低功率下灵敏度与电极距离无关,高功率下电极距离越短,灵敏度越高。2、对a-Si:H/c-Si p-i-n结构加纵向偏压可以极大地提高灵敏度。a-Si:H/c-Si p-i-n结构上下表面分别为ITO薄膜和纳米Ag薄膜,外加偏压可形成与内建电场方向相同的匀强电场。实验表明随着偏压的增加,侧向光伏效应灵敏度不断增加;当偏压足够高时,灵敏... 

【文章来源】:河北大学河北省

【文章页数】:49 页

【学位级别】:硕士

【部分图文】:

a-Si:H/c-Si p-i-n结构的侧向光伏效应测试与调控


侧向光伏效应示意图

原理图,位移测试,原理图,非线性度


影响其探测稳定性,非线性度越低则能保证这以来大家不断寻求更低的非线性度。测器的应用要应用是制备 PSD,PSD 的测量系统是非接触式光器,PSD,信息处理系统。相比于传统 CCD,应速度,而且在整个探测区域可输出连续信号, 可以分为一维 PSD 探测器和二维 PSD 探测器。探测器唯一的一个方向移动,输出电压随光斑位以确定被探测物体的具体位置。而对于二维探测。输出的两个电压值可以对应转换为一个位置坐PSD 作为新型探测器,已广泛应用于工业、军事

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图 1.3 光电自准直系统探测示意图要通过光电自准直系统来调整地面导弹的发射阵地。光电自准直探测器,图 1.3 为光电自准直系统的示意图,一束激光经过物镜平行的光束并投射在反射镜上,如果反射镜与系统的光轴垂直,成像在中心位置处。若反射镜偏转一个小角度 θ,反射光束会偏为 x。根据光学的几何原理可得:x f'tan2 焦距。由于 α 角通常都比较小,可以直接近似为:x 2f' 的自准直仪中通常是个常数,所以只要测得位移量 x,就能够求 1.3 给出了同时包含直线位移和角位移的 PSD,海军曾用此准直


本文编号:3474866

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