PVDF/LCSMO异质结的制备及其特性研究

发布时间:2021-12-16 07:56
  钙钛矿结构的多铁体和复合结构的磁电材料一直是材料界和物理界研究的热点。由于其属于强关联体系拥有丰富的物理性能,可以应用在高密度动态存储器(DRAM)、非挥发性铁电存储器(Fe RAM)、光波导、热释电传感器、微机电耦合器件等很多方面。但由于很多传统的铁电材料制备温度太高很难实现和硅工艺完全兼容和集成,器件尺寸接近量子极限等一些关键技术有待解决。而有机铁电聚合物由于其成本低、制备容易,铁电性能优良而受到人们的广泛关注。对于此,作者提出了有机铁电材料结合钙钛矿型磁性氧化物来复合制备磁电耦合材料,利用有机铁电材料电极化来调控磁各向异性。使磁电互控真正应用到实际当中。因为磁电材料在逻辑器件、存储器件、磁传感器件等领域具有很大的应用价值。作者的成果为这个领域开辟了新的思路,以便人们更加深刻的理解其物理内涵。本文主要分为三章,从背景的介绍到材料的制备,然后是异质结构的合成测试,最后是现象机理分析。第一章对传统的钙钛矿型多铁性材料的研究历史做了简单的介绍,包括钙钛矿的结构和铁性的起源。谈到了磁电耦合材料和机理。在这一章最后具体介绍现代几种制备纳米级别薄膜的方法。第二章用LB的方法制备了有机铁电聚合P... 

【文章来源】:东华大学上海市 211工程院校 教育部直属院校

【文章页数】:53 页

【学位级别】:硕士

【部分图文】:

PVDF/LCSMO异质结的制备及其特性研究


(a)钙钛矿结构单元(b)正氧八面体及其二重、三重、四重对称轴

铁材料,序参量,耦合关系


图 1-3 多铁材料中各序参量之间的耦合关系铁电之间的磁电耦合就可以实现磁、电之间的互相调控。场来调控铁电材料,反之,我们也可以利用电场来调控铁最主要问题就是电场对磁性的调控,因为现代信息存储需要电场对材料磁性的调控。“电写/磁读”的这种技术保留器的优点,而避免了各自的缺点,从而可实现高速、低功储方式。然而,从多铁材料的发现到相关概念的提出,许磁电耦合效应都十分的弱以至于都无法实现实际应用。耦合效应和多铁材料的微观机理的理解也十分有限。直到共存的铁性材料做出了详细的解释。他表明:在同种材料生的互斥性质。铁磁性的产生需要原子具有未填满的 3d则倾向于 3d 轨道为填满或全空的状态,以利于共价键的中心,所以在同一种单相材料中,铁电性和铁磁性是很难体系中就不存在上述的限制条件,并且单一的铁磁或铁电

模型图,脉冲激光沉积,模型图


图 1-4 脉冲激光沉积模型图PLD 的优点主要有:1、易获得与靶材具有相同计量比的薄膜,具有良好的保成分性。2、沉积速率高、实验周期短,衬底温度要求低,沉积效率高,制备薄膜覆盖均匀。3、工艺参数任意调节,对靶材的种类没有限制。当然 PLD 也有一些劣势,比如目前不能大面积制备,生长条件很难精确控制重复性较差。1.4 铁电薄膜的应用1.4.1 非挥发性铁电随机存储器随着通信设备、计算机、信息产业等快速发展,如何对大量数据进行存储已成为科技界研究的重点。在 1952 年 Anderson 首次提出了铁电存储器(FRAM)这

【参考文献】:
期刊论文
[1]La2/3Ca1/3MnO3薄膜的光致电阻率变化特性[J]. 汪世林,陈长乐,王跃龙,金克新,王永仓,任韧,宋宙模,袁孝.  物理学报. 2004(02)

博士论文
[1]PZT铁电存储器的研究[D]. 蔡道林.电子科技大学 2008



本文编号:3537778

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