GaAs/AlGaAs二维电子系统的量子输运性质研究

发布时间：2021-03-15 14:30

　　二维电子由于具有较低的空间维度和超高的迁移率,在低温和垂直磁场下可呈现出丰富、有趣的物理现象。研究二维电子材料的量子输运性质,如零磁场附近的弹道输运、弱磁场下的磁-电能带输运和强磁场下的量子霍尔态（包括整数量子霍尔态和分数量子霍尔态）输运等,对揭示二维电子材料的独特物性、探索其潜在的器件应用等方面可起到关键的作用。因此,近三十多年来,二维电子材料的量子输运性质研究已经成为凝聚态物理领域中的一个重要方向。在众多二维电子系统中,GaAs/AlGaAs异质结材料是目前实验室内可以实现的最纯净的固态电子材料,一直是凝聚态物理基础研究和量子器件探索的重要平台。本论文主要利用所在实验室自主生长的GaAs/AlGaAs二维电子材料制备量子器件,对它们的低温输运性质开展了较为深入的研究:首先,在第二章节中,我们研究了高迁移率GaAs/AlGaAs二维电子样品中电子弹道输运的非线性特性。理论和实验已经研究过,当Hall bar的宽度w小于电子的平均自由程le,并且边界存在漫散射时,纵向电阻Rxx会在低磁场区域产生由于漫散射引起的电阻极大的峰,霍尔电阻RH会在零磁场附近出现淬火现象以及“最后一个平台”现象... 

【文章来源】：中国科学院大学(中国科学院物理研究所)北京市

【文章页数】：111 页

【学位级别】：博士

【部分图文】：

(a)单边掺杂的异质结样品的结构示意图


本文编号：3084342