高效率微波单片放大器电路研究
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【摘要】:随着Ⅲ-Ⅴ族半导体工艺技术的不断进步,微波单片集成电路也变得尺寸更小、成本更低、功耗更小、噪声更低、功率密度更大,所以越来越广泛的应用在现代通信、雷达系统和导弹制导等电子装备上。本论文采用砷化镓工艺分别对低噪声放大器和高效率功率放大器的设计进行了研究,主要的研究内容如下:设计了一款工作频率为2.0~2.15GHz的4W微波单片功率放大器。电路采用两级放大拓扑结构,选用砷化镓0.25um pHEMT工艺,利用负载牵引技术得到放大管在最佳输出功率时的输出阻抗,设计匹配电路,保证放大器有最大输出功率。功率放大器的末级采用Bus-Bar结构,同时实现直流馈电与功率合成,即保证了末级合成效率也方便实现漏极的大电流馈电。最终版图仿真结果,在2.0~2.15GHz的频率范围内,输出功率大于36dBm,增益大于35dB,效率大于40%。设计了一款8mm波段(24~40GHz)微波单片低噪声放大器,电路采用三级放大链路,选用砷化镓0.15um pHEMT工艺,输入级和级间匹配采用最低噪声匹配,保证电路整体的低噪声水平。第三级电路使用Lang耦合器将第三级低噪声放大器合成输出,既保证了输出端的端口驻波,也可以提高输出功率。最终版图设计在24~40GHz范围内噪声低于2.2dB,增益大于17dB。
【关键词】:微波单片集成电路 汇流条 功率放大器 低噪声放大器
【学位授予单位】:电子科技大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2015
【分类号】:TN722
【目录】:
- 摘要5-6
- abstract6-9
- 第一章 绪论9-13
- 1.1 射频放大器研究的背景与意义9
- 1.2 MMIC放大器的研究历史与现状9-11
- 1.3 本文的主要工作11-12
- 1.4 本论文的结构安排12-13
- 第二章 MMIC工艺与器件模型13-23
- 2.1 选择MMIC工艺13-16
- 2.1.1 MMIC衬底的选择13-14
- 2.1.2 晶体管的选择14-15
- 2.1.3 MMIC的加工工艺15-16
- 2.2 MMIC器件模型16-22
- 2.2.1 微带线16-17
- 2.2.2 电容17-18
- 2.2.3 电感18
- 2.2.4 电阻18-19
- 2.2.5 接地通孔19-20
- 2.2.6 有源器件模型20-22
- 2.3 本章小结22-23
- 第三章 微波放大器主要特性参数23-33
- 3.1 端口网络S参数的基本概念23-24
- 3.2 低噪声放大器性能参数24-29
- 3.2.1 噪声系数(NF)和噪声温度(Te)24-26
- 3.2.2 增益与增益平坦度26-27
- 3.2.3 端口驻波27
- 3.2.4 稳定性27-29
- 3.2.5 工作频带29
- 3.2.6 动态范围29
- 3.3 功率放大器性能参数29-32
- 3.3.1 输出功率29-30
- 3.3.2 功率效率与功率附加效率30-31
- 3.3.3 交调失真31-32
- 3.4 本章小结32-33
- 第四章 功率放大器设计33-49
- 4.1 直流工作点选择33-34
- 4.2 稳定性分析34-36
- 4.3 负载牵引36-38
- 4.4 功率合成设计38-40
- 4.5 Bus-Bar设计40-42
- 4.6 级间匹配42-43
- 4.7 输入匹配43
- 4.8 原理图仿真及优化43-45
- 4.9 版图设计仿真45-48
- 4.10 本章小结48-49
- 第五章 低噪声放大器电路设计49-62
- 5.1 低噪声放大器链路设置51
- 5.2 直流工作点选择51-52
- 5.3 稳定性设计52-53
- 5.4 匹配电路设计53-57
- 5.5 lange耦合器的设计57-59
- 5.6 版图设计59-60
- 5.7 版图仿真结果60-61
- 5.8 本章小结61-62
- 第六章 芯片测试62-66
- 6.1 在片测试62-63
- 6.2 测试数据对比63-64
- 6.3 测试结果分析64-65
- 6.4 本章小结65-66
- 第七章 总结66-67
- 致谢67-68
- 参考文献68-70
- 攻读硕士学位期间取得的成果70-71
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,本文编号:284318
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