纤锌矿AlGaN核壳结构纳米线发光二极管中电子阻挡层的优化

发布时间：2021-10-18 22:36

　　发光二极管（LED）中,有源区电子的泄露常导致其寿命缩短和发光效率的降低,插入势垒作为电子阻挡层（EBL）是解决此问题的方案之一.然而,单势垒型EBL在限制电子溢出的同时也抑制了空穴的注入,因而在层状LED中常采用多势垒型EBL,在阻挡电子的同时,利用隧穿效应保证空穴的有效注入.目前,核壳纳米线（CSNW）因其大的表面积体积比有望成为下一代LED的基本单元.考虑到CSNW LED中亦存在有源区电子溢出问题,本文讨论径向双势垒结构作为其EBL的可行性.本工作设计的结构为纤锌矿径向Al_yGa_1-yN/Al_xGa_1-xN/Al_yGa_1-yN双势垒体系,计算电子沿径向向外和空穴沿径向向内的隧穿电流电压特性.若存在电压使空穴的隧穿电流峰值位于电子的隧穿电流谷值,则可利用此性质,在阻挡电子的同时通过隧穿辅助空穴的注入,进而提高复合率.本文首先采用转移矩阵和龙格库塔法,计算载流子的径向透射系数,以及共振能级和波函数.然后,通过载流子的费米分布计入各能量载流子的贡献,获得... 

【文章来源】：内蒙古大学内蒙古自治区 211工程院校

【文章页数】：49 页

【学位级别】：硕士

【部分图文】：

AlxGa1-xN/AlyGa1-yN/AlxGa1-xN/AlyGa1-yN/AlxGa1-xN核壳结构纳米线体系示意图，x
【参考文献】：
期刊论文
[1]Ⅲ-Ⅴ族半导体与其异质结纳米线的生长（英文）[J]. 李昂,邹进,韩晓东.  Science China Materials. 2016(01)



本文编号：3443629

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