不同支抗下无托槽隐形矫治器推上颌磨牙远移的三维有限元分析

发布时间：2020-08-09 13:15

【摘要】：目的:研究不同支抗下无托槽隐形矫治器远移上颌磨牙时,前牙区的受力情况,为临床隐形矫治器推上颌磨牙远移时支抗选择和设计提供参考。方法:选取个别正常合女性志愿者一名,上颌智齿已拔除,上颌结节区骨组织完整。对其颌面部进行CBCT扫描,通过Mimics、Geomagic Studio12.0及Pro/E5.0等软件建立上颌骨、上颌牙列、牙周膜及无托槽隐形矫治器的三维模型,应用Hyperrmesh12.0进行有限元网格划分,ANSYS WORKBENCH为有限元分析工具,建立高质量的有限元模型。模拟无托槽隐形矫治器在不同支抗条件下推上颌磨牙远移,移动步距均为0.2mm,组一以颌内1-6为支抗,推上颌单颗磨牙7远移;组二以颌内1-5为支抗,推上颌6、7一起远移;组三以颌内1-5为支抗,同时配合颌间II类牵引,推上颌6、7一起远移;组四以颌内1-5为支抗,同时借助颌内同侧5、6之间种植体支抗,推6、7一起远移。观察不同支抗下前牙区的牙周膜应力分布及位移趋势。结果:从牙周膜等效应力分布可见,组一、组二上颌中切牙牙周膜的Von-Mises应力主要集中于唇侧颈缘,侧切牙集中于近中面颈缘,尖牙集中于唇侧颈缘和近中面颈缘,组二的应力集中面积约为组一的两倍。组三、组四上颌中切牙牙周膜的Von-Mises应力主要集中于唇侧颈缘和舌侧颈缘,侧切牙集中于近中面颈缘和舌侧颈缘,尖牙集中于唇侧颈缘、舌侧颈缘及近中面颈缘,且组三、组四唇侧牙周膜受力面积明显小于组二。四个组的前牙唇侧牙周膜应力集中情况为组二组三组四组一。从上颌前牙位移趋势图可见,组一前牙区的唇向位移量最小,支抗丢失最少;组二前牙区唇侧位移量最大,约为组一的两倍;组三、组四上颌前牙的唇向位移量明显小于组二。四组上颌前牙的唇向位移组二组三组四组一。结论:无托槽隐形矫治器推磨牙远移的过程中,四种支抗方式均伴有不同程度的前牙唇倾,支抗消耗。牙齿的移动趋势表现为唇舌向移动近远中向移动垂直向移动,且中切牙位移量最大,侧切牙移动量最小。从磨牙远移方式来看:单颗磨牙远移,前牙唇向位移量最小,支抗丢失量最少;整体远移磨牙配合种植体支抗牵引力2N,前牙唇侧牙周膜应力集中面积基本等同单颗磨牙远移;采用种植体支抗推磨牙远移时,与颌间II类牵引比较,上前牙出现更明显的压低效应。
【学位授予单位】：兰州大学
【学位级别】：硕士
【学位授予年份】：2019
【分类号】：R783.5
【图文】：

值的方法表达牙周膜。将牙齿与颌骨相交部分进行数据选择，设计牙周膜厚均匀的 0.25mm[57]，通过布尔运算向外沿法线扩展 0.25mm，建立牙周膜数图 2-7)。接下来进行隐形矫治器建模，单独移动右侧上颌第二磨牙向远中mm，选择移动后的牙列的牙冠部分，向外沿法线扩展 0.75mm[48、52]，即为隐治器膜片的厚度，去除牙齿相重叠部分，同时沿牙颈缘的弧度剪去龈方多余分，得到远中移动磨牙后的矫治器数据，对此数据进行建模，存储为 IGES（图 2-8）。将建立了包括上颌牙槽骨、上颌牙齿、牙周膜、无托槽隐形矫治器的三维数合，存储为 IGES 格式导入 Pro/E 软件，进行组装，建立完整的上颌牙列的有限元模型（图 2-9）。 实验图片.1 影像数据处理

三角片存在孔洞，修补模型

依据曲率提取轮廓线，构造曲面片，构造栅格，曲面拟合

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本文编号：2787170