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半导体激光照射预防正畸微种植体周围炎的临床研究

发布时间:2017-10-05 12:28

  本文关键词:半导体激光照射预防正畸微种植体周围炎的临床研究


  更多相关文章: 半导体激光 微种植体 微种植体周围炎


【摘要】:目的:探讨半导体激光照射预防正畸微种植体周围炎的临床效果。方法:采用随机对照原则选择80例患者分成实验组和对照组,各40例,均选择双侧上颌第二前磨牙和第一磨牙牙根之间颊侧牙槽骨植入微种植体。术后实验组采用半导体激光照射微种植体周围组织:术后第一周每侧照射10min,每日一次,连续七天;术后第二周起每3天照射一次,直至取下微种植体;并作规范化健康教育。对照组仅做规范化健康教育。于术后第7天、1月、3月评价实验组和对照组微种植体菌斑指数、种植体体周软组织指数,记录微种植体周围炎例数、种植体松动例数。结果:术后第7天、1月、3月实验组菌斑指数和体周软组织指数均低于对照组,实验组发生微种植体周围炎和微种植体松动例数低于对照组,P均0.05,差异具有统计学意义。结论:半导体激光结合规范健康教育可有效预防正畸微种植体周围炎,值得临床推广。
【作者单位】: 重庆医科大学附属口腔医院正畸科口腔疾病与生物医学重庆市重点实验室;重庆医科大学附属口腔医院教学诊室重庆市高校市级口腔生物医学工程重点实验室;
【关键词】半导体激光 微种植体 微种植体周围炎
【基金】:2013年重庆卫计委科研计划项目(201302067)
【分类号】:R783.5;TN249
【正文快照】: 正畸过程中的支抗控制是决定治疗方案和治疗效果的关键因素[1],国内外学者经过探索,认为微种植体是可靠的支抗方式[2],突破传统支抗依赖患者的密切配合,设计更为简的单矫治器,治疗周期缩短。微种植体周围炎是指微种植体周围组织由于受到细菌等致病原的侵袭而引起的组织炎症反

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本文编号:976808

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