蝶窦侧方气化分度及其对内镜旁中线颅底手术入路相关解剖结构的影响：CT影像学研究

发布时间：2018-05-04 19:16

  本文选题：蝶窦气化 + 计算机断层扫描　； 参考：《苏州大学》2011年硕士论文

【摘要】：目的:对蝶窦及周围区域进行CT扫描,在图像工作站上对蝶窦在冠状位上气化程度进行分度。在不同气化程度下,测量与内镜岩尖斜坡区(简称岩斜区)、中颅窝内侧区手术密切相关的解剖结构数据,探讨气化对解剖结构的影响。以期所得结果对扩大内镜颅底手术有指导意义。 方法:(1)随机选择155例无蝶窦病变成人鼻窦螺旋CT扫描资料,男106例、女49例,年龄18-78岁,扫描层厚0.625mm。在冠状位图像上,以经翼突内、外侧板根分别作相互平行的2条竖线(内线、外线)。蝶窦向侧方气化同这两条竖线相比较:蝶窦气化的最外侧界未超越(含达到)内线为Ⅰ度;气化达内、外线之间为Ⅱ度;气化超越外线为Ⅲ度。在冠状位图像上共测量12组参数(多与经翼突中颅窝手术入路相关);在轴位图像上共测量6组参数(多与经翼突岩斜区入路相关)。(2)采用Centricity DICOM Viewer 3.0软件进行测量,用SPSS16.0软件对数据行单因素方差分析(ANOVA)及非参数秩和检验(P0.05)。 结果:(1)蝶窦侧方气化程度:Ⅰ度气化占43%、Ⅱ度气化占34%、Ⅲ度气化占23%。(2)在冠状位上所测量12组参数中,7组参数在蝶窦不同气化程度下存在统计学差异;在轴位上测量6组参数中,2组在蝶窦不同气化程度下存在统计学差异。(3)翼突内、外侧板根部之间平均距离为6.31mm(1~11.35mm),其中Ⅰ度气化6.20±1.83mm,Ⅱ度气化6.48±1.53mm,Ⅲ度气化6.27±1.56mm,三组之间方差分析无显著性差异(X2=0.826,P=0.439)。翼管与圆孔平均距离为6.39mm(1.6~15.3mm),其中Ⅰ度气化4.99±1.6mm,Ⅱ度气化6.28±2.13mm,Ⅲ度气化9.24±1.89mm,三组数据之间有显著性差异(X2=123.108,P0.05)。翼突内、外侧板根、翼管、圆孔所围成的平均面积88.21 mm2 (9.31~232.13 mm2),其中Ⅰ度气化时面积是75.53±27.42mm2,Ⅱ度气化时是83.04±31.03mm2,Ⅲ度气化时是120.33±42.65mm2,三组之间有显著性差异(X2=45.407,P0.05)。不同气化分度下,翼管、圆孔被气腔环绕的程度的差异有统计学意义,且蝶窦侧方气化程度与翼管、圆孔被气腔环绕的程度存在一致性。 结论:翼突内、外侧板是手术中重要的解剖标志。它们与蝶骨体胚胎来源及成骨方式不同,其本身位置受到蝶窦侧方气化影响较小,故可作为较恒定的、同手术密切相关的标志来界定气化程度。蝶窦向侧方气化程度的变化可以影响同内镜经翼突岩斜区和颅中窝区域手术密切相关的解剖结构的空间位置,本研究所提示的蝶窦侧方气化程度的改变对解剖结构影响的规律性可用来指导相关临床实践。
[Abstract]:Aim: to evaluate the degree of sphenoid sinus vaporization on coronal position by CT scanning in the sphenoid sinus and its surrounding region. Under different degree of gasification, the anatomical data closely related to endoscopic petrous apical slope area and medial area of middle cranial fossa were measured, and the influence of gasification on anatomical structure was discussed. The results are useful for endoscopic skull base surgery. Methods Twenty five adult patients without sphenoid sinus disease were randomly selected for spiral CT scan of paranasal sinuses, 106 males and 49 females, aged 18-78 years, with a slice thickness of 0.625mm. In coronal images, two parallel vertical lines (inner line and outside line) were made by transpterygoid root and lateral plate root respectively. The lateral vaporization of sphenoid sinus is compared with these two vertical lines: the inner line of sphenoid sinus gasification does not exceed (including reaching) the inner line is 鈪，

本文编号：1844302