氯霉素在p-PTA/CS-AB/GCE修饰电极上的电化学行为及测定

发布时间：2021-04-19 19:33

　　制备了聚磷钨酸/壳聚糖-乙炔黑修饰电极（p-PTA/CS-AB/GCE）,采用循环伏安法（CV）研究了氯霉素在该修饰电极上的电化学行为。结果表明,在p H 6.0的PBS溶液中,氯霉素（CAP）在该修饰电极上出现1个还原峰,在40⁴00 m V/s扫速范围内,CAP的还原峰电流与扫速呈线性关系,说明CAP在修饰电极上的电化学反应过程是受吸附控制的不可逆过程。用差分脉冲伏安法（DPV）对不同浓度的CAP进行检测,在5.0×10-7¹.0×10-4mol/L浓度范围内,还原峰电流与浓度呈线性关系,检出限（S/N=3）为5.13×10-8mol/L。用该方法对氯霉素片进行检测,相对标准偏差（RSD）为1.4%,回收率为97.7%¹05.1%。 

【文章来源】：分析测试学报. 2016,35(05)北大核心CSCD

【文章页数】：6 页

【文章目录】：
1 实验部分
    1.1 仪器与试剂
    1.2 实验方法
        1.2.1 修饰电极的制备
        1.2.2 电化学测试
2 结果与讨论
    2.1 交流阻抗分析
    2.2 CAP在不同电极上的循环伏安行为
    2.3 实验条件的优化
        2.3.1 缓冲溶液及p H值的选择
        2.3.2 修饰剂配比及用量的选择
        2.3.3 电聚合圈数的选择
        2.3.4 扫速的选择
    2.4 动力学参数的测定
        2.4.1 转移电子数n与质子数m
        2.4.2 电极有效面积A
        2.4.3 扩散系数D
        2.4.4 CAP在p-PTA/CS-AB/GCE上的吸附量Г
    2.5 差分脉冲伏安测定
        2.5.1 差分脉冲伏安测定参数的优化
        2.5.2 CAP在p-PTA/CS-AB/GCE上的差分脉冲伏安行为
        2.5.3 干扰实验
        2.5.4 实际样品的检测
3 结论


【参考文献】：
期刊论文
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本文编号：3148172