强制许可中半导体技术的“乱入”之谜——兼谈与合法来源抗辩条款的衔接
本文选题:半导体技术 + 强制许可 ; 参考:《中南大学学报(社会科学版)》2017年02期
【摘要】:我国《专利法》强制许可一章第48—51条规定了6种强制许可的适用事由,第52条却非常突兀地针对半导体技术规定了强制许可适用限制条款。强制许可制度中半导体技术的“乱入”谜题直接源于TRIPS协议第31条(c)款的规定。这一规定看似是美国谈判代表团在Dunkel草案版本谈判最后时刻的临时起意,实质上是基于1984年《半导体芯片保护法案》善意侵权制度的长期争论与酝酿,同时受到美国半导体产业的大力推动的结果。作为应对,我国可以从适用合法来源抗辩条款、拓展强制许可适用事由、放宽善意侵权人免责条件、推进国际条约相关条款的解释与修订等方面着手。
[Abstract]:Articles 48-51 of Chapter 48-51 of the Patent Law of China stipulate six reasons for the application of compulsory licensing, while Article 52 stipulates the restrictive clauses of compulsory licensing for semiconductor technology very abruptly. The confusion of semiconductor technology in the compulsory licensing system stems directly from the provisions of section 31 of the TRIPS Agreement. This provision appears to be a last-minute initiative of the US negotiating delegation in the negotiation of the Dunkel draft version. It is essentially based on the long-standing controversy and brewing of the bona fide infringement system of the 1984 Semiconductor Chip Protection Act. At the same time by the United States semiconductor industry to promote the results. As a response, our country can start from the application of the legal source defense clause, the expansion of compulsory permission application, the relaxation of the exemption conditions of bona fide infringers, and the promotion of the interpretation and revision of the relevant provisions of international treaties.
【作者单位】: 厦门大学知识产权研究院;
【分类号】:D923.4
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,本文编号:1927978
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