含氮Mn(Ⅱ)配合物的合成及成膜性能研究
发布时间:2021-03-30 19:49
锰基薄膜材料因其具备稳定性、巨磁性、电容可逆性等,而被广泛应用于锂离子电池、超级电容器、磁阻器、微电子等领域。随着科技不断的发展,人们对薄膜材料提出了更加苛刻的要求。在目前报道的薄膜沉积方式中,以化学气相沉积技术(CVD)和原子层沉积(ALD)技术得到的薄膜性能最佳。由ALD/CVD技术原理可知,化学前驱体是CVD、ALD技术的基础。前驱体结构不同,其化学反应活性及热性能就会不同,这样会导致成膜工艺出现很大差异,影响沉积速率,最终也会影响薄膜的性能。此外目前ALD/CVD锰前驱体还存在一些不足,包括数量稀少、结构单一、相应ALD过程沉积速率较低等。针对以上问题,本文从化学工作者角度出发,设计合成出多种新型的Mn(Ⅱ)配合物,并通过沉积实验评价了所合成出的Mn(Ⅱ)配合物作为ALD/CVD前驱体的可行性。相应研究结果为人们针对锰前驱体提供了更多的选择,而且解决了目前报道的ALD工艺沉积速率较低的问题。具体研究内容如下:(1)设计合成了高反应活性的六种含氮乙基脒基Mn(Ⅱ)配合物,并对其进行了热化学性质的研究。由于引入官能团的不同,使得Mn(Ⅱ)配合物的热化学性质存在差异,表现出“构效”效...
【文章来源】:江南大学江苏省 211工程院校 教育部直属院校
【文章页数】:103 页
【学位级别】:硕士
【部分图文】:
CVD的反应过程
图 1-2 原子层沉积主要步骤Figure 1-2 Key steps of atomic layer deposition 所示:以 AlMe3与 H2O 沉积 Al2O3薄膜为例,详细介绍 A
CVD(红色)和 ALD(红色+蓝色)前驱体所具备5 Summary of the most important characteristics for an and ALD (red+blue) precursor,由于 ALD 和 CVD 在沉积原理上存在差异,,以下先对 CVD 前驱体该具备的性质进行简发性,在沉积薄膜过程中,前驱体可以在相对至基底表面;的沉积温度,这样沉积条件相对温和,大大降降低设备耗能节约成本;存在和分解无污染;,合成简单廉价方便;具备的性质:的挥发性;的热稳定性,在沉积过程中不能发生热分解;
【参考文献】:
期刊论文
[1]纳米二氧化锰对水中Cu2+和Cd2+的吸附特性[J]. 黄一帆,于志红,廉菲,沈跃,宋正国. 环境工程技术学报. 2016(04)
[2]化学镀工艺在电子工业中的应用现状[J]. 李家明,徐淑庆,梁铭忠. 电镀与精饰. 2016(01)
[3]FA/O碱性清洗液对GLSI多层Cu布线粗糙度的优化[J]. 邓海文,檀柏梅,张燕,顾张冰. 电子元件与材料. 2015(10)
[4]集成电路用高纯金属材料及高性能溅射靶材制备研究进展[J]. 何金江,贺昕,熊晓东,王兴权,廖赞. 新材料产业. 2015(09)
[5]X射线衍射进展简介[J]. 解其云,吴小山. 物理. 2012(11)
[6]物理气相沉积技术的研究进展与应用[J]. 吴笛. 机械工程与自动化. 2011(04)
[7]直流磁控反应溅射法制备大面积AZO薄膜的实验研究[J]. 焦飞,廖成,韩俊峰,周震. 光谱学与光谱分析. 2009(03)
[8]X射线光电子能谱在配合物研究中的应用及其研究进展[J]. 袁欢欣,欧阳健明. 光谱学与光谱分析. 2007(02)
[9]真空蒸发法制备SnS薄膜及其光电性能研究[J]. 邱永华,史伟民,魏光普,徐环,林飞燕. 光电子·激光. 2006(07)
[10]扫描电子显微镜与原子力显微镜技术之比较[J]. 陈耀文,林月娟,张海丹,沈智威,沈忠英. 中国体视学与图像分析. 2006(01)
本文编号:3110049
【文章来源】:江南大学江苏省 211工程院校 教育部直属院校
【文章页数】:103 页
【学位级别】:硕士
【部分图文】:
CVD的反应过程
图 1-2 原子层沉积主要步骤Figure 1-2 Key steps of atomic layer deposition 所示:以 AlMe3与 H2O 沉积 Al2O3薄膜为例,详细介绍 A
CVD(红色)和 ALD(红色+蓝色)前驱体所具备5 Summary of the most important characteristics for an and ALD (red+blue) precursor,由于 ALD 和 CVD 在沉积原理上存在差异,,以下先对 CVD 前驱体该具备的性质进行简发性,在沉积薄膜过程中,前驱体可以在相对至基底表面;的沉积温度,这样沉积条件相对温和,大大降降低设备耗能节约成本;存在和分解无污染;,合成简单廉价方便;具备的性质:的挥发性;的热稳定性,在沉积过程中不能发生热分解;
【参考文献】:
期刊论文
[1]纳米二氧化锰对水中Cu2+和Cd2+的吸附特性[J]. 黄一帆,于志红,廉菲,沈跃,宋正国. 环境工程技术学报. 2016(04)
[2]化学镀工艺在电子工业中的应用现状[J]. 李家明,徐淑庆,梁铭忠. 电镀与精饰. 2016(01)
[3]FA/O碱性清洗液对GLSI多层Cu布线粗糙度的优化[J]. 邓海文,檀柏梅,张燕,顾张冰. 电子元件与材料. 2015(10)
[4]集成电路用高纯金属材料及高性能溅射靶材制备研究进展[J]. 何金江,贺昕,熊晓东,王兴权,廖赞. 新材料产业. 2015(09)
[5]X射线衍射进展简介[J]. 解其云,吴小山. 物理. 2012(11)
[6]物理气相沉积技术的研究进展与应用[J]. 吴笛. 机械工程与自动化. 2011(04)
[7]直流磁控反应溅射法制备大面积AZO薄膜的实验研究[J]. 焦飞,廖成,韩俊峰,周震. 光谱学与光谱分析. 2009(03)
[8]X射线光电子能谱在配合物研究中的应用及其研究进展[J]. 袁欢欣,欧阳健明. 光谱学与光谱分析. 2007(02)
[9]真空蒸发法制备SnS薄膜及其光电性能研究[J]. 邱永华,史伟民,魏光普,徐环,林飞燕. 光电子·激光. 2006(07)
[10]扫描电子显微镜与原子力显微镜技术之比较[J]. 陈耀文,林月娟,张海丹,沈智威,沈忠英. 中国体视学与图像分析. 2006(01)
本文编号:3110049
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