反钙钛矿结构化合物薄膜的制备与物性研究
发布时间：2022-09-29 19:44
近年来,反钙钛矿结构化合物吸引着越来越多的人关注。反钙钛矿结构是相对于钙钛矿结构而言的,在钙钛矿结构化合物ABO3（A为稀土金属或碱金属,B为过渡金属,O为氧原子）中,A原子占据在立方晶格结构的顶点位置,B原子和O原子分别占据在立方晶格的体心位置和面心位置;而在反钙钛矿结构化合物M3AN（M为Cu,Mn,Fe,Co,Ni,Ti过渡金属、A为过渡金属,N为氮原子）中,A原子占据在立方晶格顶点位置,N原子和M原子分别占据在立方晶格的体心位置和面心位置。在反钙钛矿结构材料体系中,锰基反钙钛矿结构材料由于存在着晶格、电荷、自旋和轨道多自由度之间的关联作用,从而表现出丰富的物理性质,如负热膨胀效应,宽温域近零电阻率温度系数,自旋玻璃行为等。本篇论文的研究对象是金属掺杂氮化铜和ε-氮化锰基反钙钛矿结构化合物。在不断探索最佳工艺参数的基础上,我们采用磁控溅射法成功制备了反钙钛矿结构化合物薄膜,并对薄膜材料的结构、电学、磁学性质进行了研究。第一部分我们研究了金属掺杂氮化铜Cu3NMx反钙钛矿结构化合物薄膜材料。利用...
【文章页数】：114 页
【学位级别】：博士
【文章目录】：
摘要
Abstract
第一章 绪论
1.1 氮化铜化合物及其衍生材料
1.1.1 氮化铜薄膜材料研究进展
1.1.2 金属掺杂氮化铜薄膜材料研究进展
1.2 锰基反钙钛矿结构化合物及其衍生材料
1.2.1 锰基反钙钛矿结构化合物块材料研究进展
1.2.2 锰基反钙钛矿结构化合物薄膜材料研究进展
第二章 实验原理与实验仪器
2.1 反钙钛矿薄膜的制备
2.2 反钙钛矿薄膜的表征与物性测量
第三章 铜基反钙钛矿结构化合物薄膜的制备与物性研究
3.1 引言
3.2 金属掺杂Cu_3NMg_x反钙钛矿薄膜的制备与电输运特性研究
3.2.1 样品制备
3.2.2 晶格结构
3.2.3 半导体电输运行为及机理
3.2.4 组分调制的光学带隙
3.2.5 本节总结
3.3 金属掺杂Cu_3NTa_x薄膜的制备与电输运特性研究
3.3.1 样品制备
3.3.2 晶格结构、表面形貌及化学价态分析
3.3.3 电输运行为及光学带隙
3.3.4 本节总结
第四章 锰基反钙钛矿结构化合物薄膜的制备与物性研究
4.1 引言
4.2 Mn_3Mn_(1-x)Pd_xN反钙钛矿薄膜的金属-半导体转变和正磁阻效应
4.2.1 样品制备
4.2.2 晶格结构
4.2.3 组分调制的金属-半导体转变以及正磁阻效应
4.2.4 本节总结
4.3 Mn_3Mn_(1-x)Au_xN反钙钛矿薄膜的低温区恒电阻特性
4.3.1 样品制备与晶格结构
4.3.2 低温区宽温域恒电阻行为
4.3.3 本节总结
4.4 Mn_3Mn_(1-x)Ni_xN反钙钛矿薄膜的金属-半导体转变和磁电耦合效应
4.4.1 样品制备
4.4.2 晶格结构
4.4.3 金属-半导体转变行为与磁电耦合效应
4.4.4 本节总结
4.5 富铜Mn_3CuN_y反钙钛矿薄膜的高温区恒电阻特性与磁电耦合效应
4.5.1 样品制备
4.5.2 晶格结构与表面形貌
4.5.3 高温区宽温域恒电阻行为及磁电耦合效应
4.5.4 本节总结
第五章 总结和展望
5.1 全篇总结
5.2 未来工作展望
参考文献
攻读博士学位期间发表学术论文和获奖情况
致谢
【参考文献】：
期刊论文
[1]Mn-based antiperovskite functional materials: Review of research[J]. 童鹏,王铂森,孙玉平. Chinese Physics B. 2013(06)
[2]Structure, Optical Property and Thermal Stability of Copper Nitride Films Prepared by Reactive Radio Frequency Magnetron Sputtering[J]. Jianrong Xiao1), Yanwei Li2) and Aihua Jiang1) 1) College of Science, Guilin University of Technology, Guilin 541004, China 2) College of Chemistry and Bioengineering, Guilin University of Technology, Guilin 541004, China. Journal of Materials Science ＆ Technology. 2011(05)
本文编号：3683196
【文章页数】：114 页
【学位级别】：博士
【文章目录】：
摘要
Abstract
第一章 绪论
1.1 氮化铜化合物及其衍生材料
1.1.1 氮化铜薄膜材料研究进展
1.1.2 金属掺杂氮化铜薄膜材料研究进展
1.2 锰基反钙钛矿结构化合物及其衍生材料
1.2.1 锰基反钙钛矿结构化合物块材料研究进展
1.2.2 锰基反钙钛矿结构化合物薄膜材料研究进展
第二章 实验原理与实验仪器
2.1 反钙钛矿薄膜的制备
2.2 反钙钛矿薄膜的表征与物性测量
第三章 铜基反钙钛矿结构化合物薄膜的制备与物性研究
3.1 引言
3.2 金属掺杂Cu_3NMg_x反钙钛矿薄膜的制备与电输运特性研究
3.2.1 样品制备
3.2.2 晶格结构
3.2.3 半导体电输运行为及机理
3.2.4 组分调制的光学带隙
3.2.5 本节总结
3.3 金属掺杂Cu_3NTa_x薄膜的制备与电输运特性研究
3.3.1 样品制备
3.3.2 晶格结构、表面形貌及化学价态分析
3.3.3 电输运行为及光学带隙
3.3.4 本节总结
第四章 锰基反钙钛矿结构化合物薄膜的制备与物性研究
4.1 引言
4.2 Mn_3Mn_(1-x)Pd_xN反钙钛矿薄膜的金属-半导体转变和正磁阻效应
4.2.1 样品制备
4.2.2 晶格结构
4.2.3 组分调制的金属-半导体转变以及正磁阻效应
4.2.4 本节总结
4.3 Mn_3Mn_(1-x)Au_xN反钙钛矿薄膜的低温区恒电阻特性
4.3.1 样品制备与晶格结构
4.3.2 低温区宽温域恒电阻行为
4.3.3 本节总结
4.4 Mn_3Mn_(1-x)Ni_xN反钙钛矿薄膜的金属-半导体转变和磁电耦合效应
4.4.1 样品制备
4.4.2 晶格结构
4.4.3 金属-半导体转变行为与磁电耦合效应
4.4.4 本节总结
4.5 富铜Mn_3CuN_y反钙钛矿薄膜的高温区恒电阻特性与磁电耦合效应
4.5.1 样品制备
4.5.2 晶格结构与表面形貌
4.5.3 高温区宽温域恒电阻行为及磁电耦合效应
4.5.4 本节总结
第五章 总结和展望
5.1 全篇总结
5.2 未来工作展望
参考文献
攻读博士学位期间发表学术论文和获奖情况
致谢
【参考文献】：
期刊论文
[1]Mn-based antiperovskite functional materials: Review of research[J]. 童鹏,王铂森,孙玉平. Chinese Physics B. 2013(06)
[2]Structure, Optical Property and Thermal Stability of Copper Nitride Films Prepared by Reactive Radio Frequency Magnetron Sputtering[J]. Jianrong Xiao1), Yanwei Li2) and Aihua Jiang1) 1) College of Science, Guilin University of Technology, Guilin 541004, China 2) College of Chemistry and Bioengineering, Guilin University of Technology, Guilin 541004, China. Journal of Materials Science ＆ Technology. 2011(05)
本文编号：3683196
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