二氧化硅阶梯状薄膜热阻层微纳制备工艺研究

发布时间：2022-10-20 17:04

　　在高温薄膜式热流传感器结构中,热阻层台阶的高度是影响热流传感器输出的重要因素。在热阻层的制备工艺中,需要精准控制台阶的高度和整体薄膜的厚度。目前常用的制备方法为溅射-湿法腐蚀和溅射-湿法腐蚀-溅射两种方法。选用电绝缘性高、硬度高、热导率低的SiO2作为热阻层材料,分析了限制热阻层台阶高度的因素,确定了高台阶的高度低于6μm,低台阶的高度高于500 nm。研究了两种热阻层台阶的制备方法的适用条件,分析了两种方法的优缺点,发现溅射-湿法腐蚀仅适用于基底粗糙度较低的薄膜,溅射-湿法腐蚀-溅射的方法不受粗糙度的限制,但需加宽掩膜板以防止侧蚀损坏薄膜。 

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【文章目录】：
0 引言
1 薄膜的制备及台阶厚度的确定
    1.1 薄膜的制备工艺
    1.2 薄膜厚度的确定
2 Si O2台阶的刻蚀
    2.1 单次溅射
    2.2 二次溅射
3 结束语


【参考文献】：
期刊论文
[1]薄膜高温热流测量技术研究[J]. 肖友文,谢贵久,何峰,张建国,袁云华,宋祖殷.  微处理机. 2012(05)
[2]射频磁控溅射二氧化硅薄膜的工艺探讨[J]. 叶光,林志贤,郭太良.  龙岩师专学报. 2002(06)

硕士论文
[1]MEMS高温热流传感器的制备工艺研究[D]. 王金鹏.大连理工大学 2019



本文编号：3694952