基于LN/LT-POI多层结构的SAW器件发展

发布时间：2022-12-07 05:34

　　绝缘体上压电单晶薄膜结构材料（POI）为研制高性能、可集成的声表面波（SAW）器件提供了新的解决途径和方案,可满足射频（RF）前端在集成化、小型化发展趋势下对新一代压电声学器件的需求。该文介绍了POI的制备工艺技术。总结了基于铌酸锂/钽酸锂-POI（LN/LT-POI）多层结构的高性能SAW器件的最新研究成果,并展望了其未来的发展。

【文章页数】：8 页

【文章目录】：
0 引言
1 绝缘体上LNOI/LTOI的制备方法
2 LN/LT多层结构SAW基片
3 基于LN/LT-POI结构的高性能SAW器件的最新研究成果
    3.1 LN-POI结构SAW器件
        3.1.1 LN-POI多层结构SAW谐振器
        3.1.2 LN-POI多层结构SAW滤波器
    3.2 LT-POI多层结构SAW器件
4 总结与展望

本文编号：3712323