基于键合工艺制备满足射频滤波器应用的压电薄膜材料的研究和产业化进展

发布时间：2023-09-28 23:49

　　传统的SAW制备在LiNbO3(LNO)、LiTiO3(LTO)等体压电材料上。这些体单晶材料的主要问题是成本较高且不与CMOS工艺兼容。近年来,越来越多的研究者开始致力于开发薄膜SAW器件。本文针对基于键合工艺制备LiNbO3和LiTiO3薄膜材料的研究进展及其产业化进展进行了综合阐述,为后续研究提供一定的参考。

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【文章目录】：
0 声学波滤波器原理简介
1 基于键合工艺制备LiNbO3和LiTiO3薄膜材料的研究进展
    (1)基于键合工艺制备应用于SAW的LNO和LTO薄膜材料的研究进展
    (2)基于键合工艺制备应用于BAW的LNO薄膜材料的研究进展
2 基于键合工艺制备的压电薄膜材料的产业化进展



本文编号：3848859