剔除非管理性因素影响的我国集成电路产业技术创新效率研究：基于广义三阶段DEA和Tobit模型

发布时间：2021-01-16 06:28

　　基于集成电路产业技术创新过程中所具有的特点,并考虑非管理性因素对技术创新效率产生的影响,运用广义三阶段DEA模型评价和比较我国集成电路产业整体及产业链各环节技术创新效率及差异,并进行投入要素的投影分析,在此基础上借助Tobit回归模型对技术创新效率的影响因素进行研究。结果表明,我国集成电路产业整体技术创新效率呈上升态势,而产业链各环节除封测业因技术换挡而呈现"N"型发展态势外,其余环节与产业整体情况相同;产业链各环节技术创新的投入冗余情况则各有不同,但制造业和装备业是投入冗余较为集中的环节;产业结构升级加速使得当前企业规模与技术创新效率呈现出负相关性,而企业R&D人员投入和人才密集性对技术创新效率分别存在消极和积极影响,可见效率提升的关键在于R&D人员的"质"而非"量",政府支持程度则对技术创新效率有明显积极作用,但企业R&D经费投入对技术创新效率的影响并不显著,在当前产业发展阶段,高投入并不一定会产生高效率。 

【文章来源】：管理工程学报. 2020,34(02)北大核心CSSCI

【文章页数】：11 页

【部分图文】：

考虑非管理性因素影响视角下的企业技术创新活动框架图Figure1Frameworkofenterprisetechnologyinnovationactivitiesfromtheperspectiveofnon-managementfactors

影响集成电路产业技术创新效率的外部环境变量Figure2Externalenvironmentalvariablesaffectingtheefficiencyoftechnologicalinnovationintheintegratedcircuitindustry

中国集成电路产业链各环节技术创新综合效率变化趋势Figure5TrendofcomprehensiveefficiencyoftechnologicalinnovationinalllinksofChina"sICindustrychain链各环节技术创新效率表alinnovationinChina"sICindustrychain

【参考文献】：
期刊论文
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本文编号：2980325