硅双极器件ELDRS效应机理的研究进展

发布时间：2017-10-27 13:03

  本文关键词：硅双极器件ELDRS效应机理的研究进展

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【摘要】：低剂量率辐射损伤增强效应(ELDRS)的发现引起了国际航天领域的关注。本文介绍了双极器件的辐照响应,综述了自1991年发现双极器件具有ELDRS效应二十多年以来ELDRS效应机理研究取得的主要成果,分析了未来可能的研究方向。调研发现,机理研究主要聚焦在Si/SiO2界面处,建立工艺与界面特性的关联对于抑制ELDRS效应极具参考价值。
【作者单位】： 中国工程物理研究院电子工程研究所;中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心;
【关键词】： 双极器件 低剂量率辐射损伤增强效应 界面 机理模型 工艺
【分类号】：V443
【正文快照】： 引言空间中存在着各种高能宇宙射线,这些射线与电子设备中的材料/元器件相互作用,影响元器件的性能,降低电子设备的可靠性。当双极型器件暴露在空间极低剂量率的电离辐射环境下时,会呈现一种特殊效应,其电学性能的退化将远远大于高剂量率下电学性能的退化,因此这种现象被称为，

本文编号：1103579