低温低压等离子弧辅助奥氏体不锈钢离子渗氮工艺研究
【学位授予单位】:华南理工大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2018
【分类号】:TG156.82
【图文】:
华南理工大学工程硕士学位论文称为正常辉光放电区。常辉光放电区。BC 段后,从 C 点开始,随着电流的增加,电这个阶段(CD 段)被称为异常辉光放电区。光放电区。D 点后,电流突然增大而阴极和阳极之间的电压极表面出现强烈电弧,该阶段被称为电弧放电区。子渗氮过程处于异常辉光放电区(即 CD 区间)。伏安特性曲线电阴极表面会出现强烈电弧,这种强烈的电弧会使被处理的工
NASS 试样的显微硬度、结构、组成相和磁性有很大的影SS 材料达到最高饱和磁化强度 Ms,磁化率 χ,矫顽磁场子注入技术(PSΙΙ)是由美国威斯康辛大学 ConradJ.R.教等离子体浸没离子注入示意图。通过避免常规离子注入固植入技术中脱离出来。在 PSII 中,要植入的目标直接放置到高的负电位。目标周围形成等离子体鞘层,离子同时A.教授[23]等提出等离子体浸没离子注入技术(PΙ3),等离被视为一个基于低压射频辉光放电混合注入/扩散技术,中等大小的不锈钢容器。López-Callejas R.[24]等人利用AISI304 进行渗氮,470℃下经过 5 小时处理,渗层厚度为0℃下针对 AISI304 采用等离子体浸没离子注入方法渗氮。
体相:具有高氮浓度和低晶格缺陷数量的顺磁性特别是存在导致磁转换的堆垛层错的铁磁奥氏体{200}晶面族和表面平行于{111}晶面族的织构具密切相关的。固溶体中的氮使晶格膨胀,并且由均匀的,并不是在{200}晶面族上优先固溶氮。被认为是由晶粒取向决定的。面心立方结构金属塑性变形导致{111}晶面族排列平行于表面,这面硬度相当高而脆性却不是很大。堡的 Georges J.[31]发明了活性屏离子渗氮技术(PN)。图 1-3 为活性屏离子渗氮设备示意图。在态,离子轰击金属屏而不是工件本身。与传统离的工件,并能消除边缘效应、空心阴极效应,还
【参考文献】
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本文编号:2792051
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