长江存储宣布128层闪存芯片研发成功

发布时间：2020-12-12 10:07

　　<正>长江存储4月13日在官网宣布其128层QLC 3D NAND闪存芯片X2-6070研发成功,并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。长江存储表示,X2-6070是业内首款128层QLC规格的3D NAND闪存,拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度,最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量。此次同时发布的还有128层512Gb TLC 

【文章来源】：电子世界. 2020年08期 第4页

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【参考文献】：
硕士论文
[1]3D闪存阈值电压获取及应用技术研究[D]. 陈肖钰.哈尔滨工业大学 2020



本文编号：2912350