新型平板X射线源的射束特性模拟及成像体模研制
【图文】:
由于制备简单,技术相对成熟,至今绝大部分X射线管依然采用热阴极逡逑结构,近百年来一直没有大的突破。由于这种X射线管通过射线管阴极钨丝在逡逑高温下(>1000°C)产生电子,因此被称为热阴极X射线管,,其结构如图1-1逡逑所示,螺旋钨丝作为阴极,阳极为金属靶,真空环境下阴极经电流加热使电子逡逑获得足够的能量克服其表面势垒成为自由电子,自由电子再经电场加速后撞击逡逑阳极靶面产生X射线。然而,该过程中仅有约1%电子能量转化为X射线,绝大逡逑部分能量转化为了热量[3],因此,为了防止热量积累而引起的高温损毁阳极靶,逡逑需要对阳极靶进行散热处理,如采用旋转式阳极靶等。逡逑逦±邋高压发生栝邋二逦逡逑*真2逡逑一邋■逡逑Ba邋r邋Z邋)逡逑逦逦逦逦J逦逦逦逡逑—逦15料逡逑/邋外urn逡逑图1-1传统热阴极X射线管原理图。逡逑Fig.邋1-1邋The邋schematic邋diagram邋of邋a邋conventional邋hot邋cathode邋X-ray邋tube.逡逑1逡逑
逑射原理作为冷阴极X管的物理原理,生成自由电子的方式不同于热阴极电子源,逡逑其原理如图1-2所示:在阴极电子源所在的空间中加入强电场,通过外加强电逡逑场在固体表面形成电子隧道效应而将物体内部的电子拉到真空中。在场致发射逡逑的过程中,人们无需通过加热给予电子源材料内部的电子额外的能量,而是依逡逑靠外加强电场来抑制阴极材料的表面势垒,使材料的表面势垒的势能降低,并逡逑使材料的表面势垒的宽度变窄,当表面势垒的宽度缩窄到与电子的德布罗意波逡逑长相近时,这时电子的隧道效应就会起重要的作用,致使电子源内部大量的电逡逑子可以突破表面势垒逸出到真空中成为自由电子,场致电子发射是一种在常温逡逑条件下就可以产生大量自由电子的有效方法[6]。在场致电子发射过程中,外部逡逑所加电场越强,阴极材料的表面势垒的势能就会越低、宽度也会越窄,从电子逡逑源内部逸出的电子也就越多
【学位授予单位】:南方医科大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2019
【分类号】:O434.1;TP391.41
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本文编号:2672697
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