基于一维光学系统拓扑绝缘体的量子模拟及拓扑性质探测
【学位授予单位】:延边大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2018
【分类号】:O469
【图文】:
通过对晶格哈密顿对角化,推导得出Harper方程。逡逑2.2.1二维光学方晶格逡逑考虑一个处在磁场中无自旋的二维方晶格,如图2.1所示。晶格的紧束缚哈逡逑密顿可以表示为逡逑H邋=邋Tx邋+邋Ty-^E.c.,逦(2.7)逡逑其中7;,邋7;为沿着2:或y方向移动一个晶格常数距离的协变平移算符。存在磁逡逑7逡逑
3.1系统模型及有效哈密顿量逡逑本节具体介绍所研宄的系统模型以及所对应的哈密顿量,并给出有效哈密顿逡逑与一维RM模型之间的映射。一维电路QED晶格系统模型如图3.1所示,该晶格逡逑中,每个元胞包含(1和6两种共振器。晶格中共振器间的相互作用可以由以下哈逡逑密顿描述¥邋=邋1)逡逑H0邋=邋y^邋[(7:46?邋+邋J2an^n-i)邋+邋H.C.],逦(3.1)逡逑n逡逑其中A为同一元胞内相邻共振器间的耦合强度,A为相邻元胞间两个相邻共振器逡逑间的耦合强度。值得注意的是,实验上,通过调节超导量子干涉仪装置的外部磁逡逑通量,共振器间的耦合可以被灵活地调节,这就实现了控制耦合强度的目的。逡逑假设共振器和&分别耦合于二能级通量比特和q2?,耦合强度分别逡逑17逡逑
a”逦b"逡逑图3.1:邋—维电路QED晶格系统示意图。第n个元胞中分别包含a?和6?两个传逡逑输线共振器。两个传输线共振器分别耦合与通量比特Qln和Q2?,每个通量比特逡逑由三个约瑟夫森结1,邋2,邋3组成逡逑3.1系统模型及有效哈密顿量逡逑本节具体介绍所研宄的系统模型以及所对应的哈密顿量,并给出有效哈密顿逡逑与一维RM模型之间的映射。一维电路QED晶格系统模型如图3.1所示,该晶格逡逑中,每个元胞包含(1和6两种共振器。晶格中共振器间的相互作用可以由以下哈逡逑密顿描述¥邋=邋1)逡逑H0邋=邋y^邋[(7:46?邋+邋J2an^n-i)邋+邋H.C.],逦(3.1)逡逑n逡逑其中A为同一元胞内相邻共振器间的耦合强度,A为相邻元胞间两个相邻共振器逡逑间的耦合强度。值得注意的是
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本文编号:2798081
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