In 0.22 Ga 0.78 As/GaAs量子阱光致发光谱电子辐照效应研究

发布时间：2020-12-09 18:33

　　对未掺杂的In_0.22Ga_0.78As/GaAs量子阱材料开展了能量为1 MeV、电子注量达1×1016/cm²的电子束辐照实验。实验结果显示,电子束轰击量子阱材料,通过能量传递在材料中引入缺陷,导致光致发光减弱;电子束辐照后的量子阱中同时存在应力释放和原子互混现象,导致量子阱的发光峰先红移后蓝移;辐照后的量子阱发光波长取决于应变弛豫和扩散的共同作用。 

【文章来源】：光学学报. 2017年02期 第199-206页 北大核心

【文章页数】：8 页

【文章目录】：
1 引言
2 实验
    2.1 样品选取
    2.2 辐照实验
    2.3 参数测试
3 结果与讨论
    3.1 光致发光谱
    3.2 发光峰中心波长
4 结论


【参考文献】：
期刊论文
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本文编号：2907299