当前位置:主页 > 科技论文 > 数学论文 >

GaN发光二极管的老化数学模型及寿命测试方法

发布时间:2017-04-14 18:17

  本文关键词:GaN发光二极管的老化数学模型及寿命测试方法,由笔耕文化传播整理发布。


【摘要】:GaN发光二极管因其寿命、效率和环保等优点得到了广泛的应用。寿命问题一直是限制GaN发光二极管应用的核心问题。为了研究GaN发光二极管的老化过程,计算了GaN发光二极管物理参数,分析了GaN发光二极管的深能级缺陷和非辐射复合中心增加的老化原理,并且针对该原理的老化过程进行物理原理的分析推导,进而建立了老化数学模型。同时,利用一组实际的GaN发光二极管大应力老化实验的数据进行计算,提出了利用该数学模型的GaN发光二极管寿命的测试方法和数学计算方法,并计算出实验GaN发光二极管的寿命数值。提出的GaN发光二极管老化数学模型对比传统的阿伦纽斯模型具有针对性强、物理意义明显和寿命预测准等优点,具有很好的实际应用价值。
【作者单位】: 中国科学院深圳先进技术研究院生物光子中心;
【关键词】光学器件 GaN 白光LED 发光二极管 老化 寿命
【分类号】:TN312.8
【正文快照】: 1引言随着节能环保意识的提高,固态照明技术作为下一代照明技术成为当前研究的热点[1,2]。固态照明是指使用无机物半导体材料发光,作为照明光源的技术。GaN被认为是第三代半导体材料,具有禁带宽度大、电子饱和漂移速度高和导热性能良好等特性,特别适合于制作高频、大功率电子

【参考文献】

中国期刊全文数据库 前1条

1 陈志忠,秦志新,胡晓东,于彤军,杨志坚,章蓓,姚光庆,邱秀敏,张国义;大功率白光LED的制备和表征[J];液晶与显示;2004年02期

中国硕士学位论文全文数据库 前1条

1 陈宇彬;白光LED老化机理研究[D];华南师范大学;2007年

【共引文献】

中国期刊全文数据库 前10条

1 郑代顺,钱可元,罗毅;大功率发光二极管的寿命试验及其失效分析[J];半导体光电;2005年02期

2 臧竞存;祁阳;刘燕行;;固体白光照明和稀土发光材料[J];材料导报;2006年07期

3 李长敏;李中华;史岩;杨殿来;林海;;LED暖白光照明用(Y_(2.95-x)Gd_xCe_(0.05))Al_5O_(12)系列荧光粉的晶相与三维荧光光谱[J];大连轻工业学院学报;2007年02期

4 唐政维;关鸣;李秋俊;董会宁;蔡雪梅;;一种通用低成本大功率高亮度LED封装技术[J];微电子学;2007年03期

5 乐淑萍;郑畅达;江风益;;静电对Si衬底GaN基蓝光LED老化寿命的影响[J];南昌大学学报(理科版);2007年03期

6 康凌,刘宝林,蔡加法,潘群峰;掺硅InGaN和掺硅GaN的光学性质的研究[J];液晶与显示;2004年04期

7 代国章,李宏建,黄永辉,谢强,何英旋,彭景翠;有机磷光电致发光的研究进展[J];液晶与显示;2005年02期

8 吴海彬,叶光,王昌铃;多芯片集成大功率白光LED照明光源[J];液晶与显示;2005年03期

9 莫春兰,方文卿,王立,刘和初,周毛兴,江风益;硅衬底GaN基LED的研究进展[J];液晶与显示;2005年05期

10 李东平;缪春燕;刘丽芳;夏威;;白光LED用YAG∶Ce~(3+)荧光粉的研究进展[J];液晶与显示;2005年06期

中国硕士学位论文全文数据库 前10条

1 王进;光转换白光LED研究[D];中国海洋大学;2005年

2 陈晓春;结合电子警察功能的LED交通信号系统研制[D];大连理工大学;2006年

3 沈慧;大功率照明LED恒流驱动芯片的设计[D];浙江大学;2006年

4 程海英;硅衬底GaN材料生长及其LED老化性能研究[D];南昌大学;2006年

5 肖祁陵;利用高分辨X射线衍射仪表征GaN/Al_2O_3薄膜结构特性[D];南昌大学;2006年

6 郝海涛;白光LED用荧光材料的制备及性能研究[D];太原理工大学;2006年

7 胡丽君;Si基磁控溅射Ga_2O_3/Al膜制备GaN一维纳米结构的研究[D];山东师范大学;2007年

8 乐淑萍;静电对硅衬底GaN基LED老化寿命特性的分析与研究[D];南昌大学;2007年

9 陈宇彬;白光LED老化机理研究[D];华南师范大学;2007年

10 魏伟;侧面倾斜与粗糙化提高GaN基LED出光效率的研究[D];长春理工大学;2007年

【二级参考文献】

中国期刊全文数据库 前10条

1 郑代顺,钱可元,罗毅;大功率发光二极管的寿命试验及其失效分析[J];半导体光电;2005年02期

2 张建平;基于LSM的红外LED加速寿命试验数据的统计分析[J];半导体光电;2005年02期

3 王启明;信息高科技领域中的半导体光电子学[J];半导体学报;1998年10期

4 吴恒钦,,梁骏吾;半导体发光二极管及“蓝光热”[J];大学物理;1996年09期

5 龙乐;发光二极管封装结构及技术[J];电子与封装;2004年04期

6 赵清泉,夏晓玲;半导体发光二极管的应用及其前景[J];大众科技;2005年06期

7 贾辉,李福田;硫酸钡漫反射板在250~400nm光谱辐射亮度标定中的应用研究[J];光谱学与光谱分析;2004年01期

8 程海英;方文卿;莫春兰;刘和初;王立;江风益;;δ掺杂对Si衬底GaN蓝光LED外延膜性能的影响研究[J];光学学报;2006年08期

9 丁毅;顾培夫;;实现均匀照明的自由曲面反射器[J];光学学报;2007年03期

10 刘行仁,薛胜薜,黄德森,林秀华;白光LED现状和问题[J];光源与照明;2003年03期

【相似文献】

中国期刊全文数据库 前10条

1 李飙;常本康;徐源;杜晓晴;杜玉杰;王晓晖;张俊举;;GaN光电阴极的研究及其发展[J];物理学报;2011年08期

2 孙鲁;赵慧元;苏秉华;;GaN基量子阱红外探测器的设计[J];现代电子技术;2011年10期

3 乔建良;高有堂;钱芸生;常本康;;负电子亲和势GaN光电阴极特性研究[J];南阳理工学院学报;2011年02期

4 曹韬;刘友江;曾荣;吕立明;;S波段高效GaN逆E类功率放大器[J];微波学报;2011年04期

5 李飙;徐源;常本康;王晓晖;杜玉杰;高频;张俊举;;梯度掺杂结构GaN光电阴极的激活工艺研究[J];光电子.激光;2011年09期

6 包西昌;张文静;刘诗嘉;李超;李向阳;;平面型GaN p-n结探测器的制备与性能[J];红外与毫米波学报;2011年03期

7 张永慧;吕春明;汪邦金;;一种S波段宽带GaN放大器的设计[J];现代电子技术;2011年10期

8 尹甲运;刘波;王晶晶;李佳;敦少博;冯志红;蔡树军;;Al沉积时间对Si衬底GaN材料的影响[J];半导体技术;2011年09期

9 张伟刚;刘卓琳;殷丽梅;;飞秒激光刻蚀Ⅴ型光纤微腔及其干涉谱特性[J];光学学报;2011年07期

10 陈耀;王文新;黎艳;江洋;徐培强;马紫光;宋京;陈弘;;国产SiC衬底上利用AlN缓冲层生长高质量GaN外延薄膜[J];发光学报;2011年09期

中国重要会议论文全文数据库 前10条

1 K.K.Leung;W.K.Fong;C.Surya;;Investigations of Hot-electron Degradations in GaN-LEDs[A];第十一届全国MOCVD学术会议论文集[C];2010年

2 陈勇波;周建军;徐跃杭;国云川;徐锐敏;;GaN高电子迁移率晶体管高频噪声特性的研究[A];2011年全国微波毫米波会议论文集(下册)[C];2011年

3 尹以安;李述体;梅霆;范广涵;周天明;;P型InGaN/GaN超晶格的光学和电学性质研究[A];第十一届全国MOCVD学术会议论文集[C];2010年

4 ;High Quality GaN Epitaxial Growth on Sapphire Substrate Using High Temperature AIN Buffer Layer[A];第十一届全国MOCVD学术会议论文集[C];2010年

5 王光绪;熊传兵;刘彦松;程海英;刘军林;江风益;;硅衬底GaN基单量子阱绿光LED量子效率的研究[A];全国光电子与量子电子学技术大会论文集[C];2011年

6 徐现刚;;SiC衬底上GaN基的材料生长及器件研究[A];第十一届全国MOCVD学术会议论文集[C];2010年

7 曹健兴;李述体;范广涵;章勇;尹以安;郑树文;梅霆;苏军;;铝预处理对硅衬底上AIN缓冲层与GaN外延层的影响[A];第十一届全国MOCVD学术会议论文集[C];2010年

8 王爱玲;毋志民;;Mn和Mn-Cd掺杂GaN物性的第一性原理研究[A];2011中国功能材料科技与产业高层论坛论文集(第三卷)[C];2011年

9 张荣;修向前;陆海;陈鹏;谢自力;刘斌;韩平;刘治国;郑有p

本文编号:306571


资料下载
论文发表

本文链接:https://www.wllwen.com/kejilunwen/yysx/306571.html


Copyright(c)文论论文网All Rights Reserved | 网站地图 |

版权申明:资料由用户8f98f***提供,本站仅收录摘要或目录,作者需要删除请E-mail邮箱bigeng88@qq.com