二维晶体生长的数值模拟
【文章页数】:54 页
【学位级别】:硕士
【部分图文】:
图5.19晶体位于位置点(a)a和(b)b时,过柱面中心水平切面速度矢量投影Fig.5.19Velocityvectorprojectedontoaslicetakenthroughthecenterofprismunderthecrystal00.7(m/s)
5二维运动法KDP晶体生长流动与物质输运数值模拟及晶体生长实验高,从而减小锥面中心和边缘处的过饱和度差异。二维运动法中,上述工况下CD线上最大和最小过饱和度之差为0.56%,而参考文献中[116]该差值达1.32%。③晶面附近可形成交替反向的剪切流。从以上流场图可以推....
图7 t=240min时刻Y=3.15mm处
(010)的浓度边界层的情况:浓度边界层随时间变化,但厚度大体保持稳定· 在t=240min时刻,根据数值模拟得到的浓度边界层厚度为166μm,这与实验观测到的200μm的结果相吻合(图7)· 晶体生长过程中的几个主要步骤均发生在浓度边界层中,包括溶质从溶液到晶体表面的输....
图1炉体结构简图
1284人工晶体学报第42卷形状与质量,找出固液界面推进速度和晶体质量变化之间的关系,以确定晶体在不同阶段合理的生长速度。2晶体生长过程的数值模拟2.1数值模拟模型图1炉体结构简图Fig.1Structureoffurnace数值模拟的物理模型是根据实际炉体结构、尺寸简化的二维模....
图1 多晶硅铸锭投料量发展预测图[1]
目前我国铸锭晶体硅的生产基本上使用G6/G7型铸锭炉,装料量最高达1200kg。为提高能源利用率和产率,G8型铸锭炉也在开发之中,铸锭投料量将达1400kg左右(见图1)。但采用更大尺寸的铸锭炉后,由于硅锭的横向尺寸变大而高度近似不变,导致晶体生长过程中硅熔体横向流动受阻....
本文编号:4016987
本文链接:https://www.wllwen.com/kejilunwen/yysx/4016987.html