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321.
GaN
HEMT器件和GaAs PHEMT器件对比特性研究
322.
GaN
基LED外延片的光学电学和应力研究
323. 基于
GaN
器件的双Bu
c
k逆变器共模与损耗
324. Si衬底
GaN
基功率电子材料及器件的研制
325. 基于耦合量子阱的
GaN
基垂直结构LED器件研究
326. 一种新型
GaN
功率开关器件(GIT)中子辐照效应研究
327.
GaN
基肖特基势垒二极管结构优化研究进展
328. 采用PVT法生长
GaN
纳米线的仿真和实验研究
329. 低位错
GaN
及低温AlN的MO
C
VD外延生长研究
330. 基于功率半桥拓扑的
GaN
器件高频开关特性研究
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