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381. 干法刻蚀辅助型GaN MOSFET的器件工艺及电学特性研究
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382. GaN基LED不同功能层的MOCVD生长及其性能研究
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383. 苏州纳米所在增强型GaN HEMT器件研究方面取得进展
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384. 毫米波GaN基HEMT小信号与大信号建模
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385. 载流子分布对GaN基LED频率特性的影响（英文）
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386. 基于GaN的Ka波段功率放大器设计及热分析
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387. 初始应力对垂直结构GaN基LED光电性能影响的研究
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388. SiC衬底GaN基材料MOCVD生长及HEMT器件研制
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389. 片上传输线模型与GaN HEMT小信号模型研究
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390. AlGaN缓冲层结构对Si基GaN材料性能的影响
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