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521. 提高瞬态红外设备检测
GaN
HEMT结温准确度的方法
522.
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基紫外LED多量子阱势阱层材料生长条件的研究
523. 不同转移工艺制备的垂直结构Si衬底
GaN
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524. 不同插入层对抑制Mg掺杂p-
GaN
的记忆效应
525. 第三代半导体
GaN
功率开关器件的发展现状及面临的挑战
526. 图形化蓝宝石衬底形貌对
GaN
基LED出光性能的影响
527. 应变及掺杂对
GaN
及InN光电性质影响的第一性原理研究
528. 反应动力学参数变化对MOVPE生长
GaN
的反应路径模拟的影响
529.
GaN
基薄膜LED倒装芯片表面结构设计及光萃取效率研究
530. 基于
GaN
晶体管的高频全桥逆变器波形补偿技术研究
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