0.16微米LOGIC SRAM光刻工艺参数的优化研究

发布时间：2022-10-27 21:45

　　本文主要在典型的0.16um逻辑电路SRAM工作区工艺参数的优化,主要针对目前国内200mm晶圆FAB常见的逻辑电路,对电路中的SRAM工作区的设计缺陷以及工艺制程上的缺陷从实际生产中进行优化。 本文主要针此产品光刻工艺中遇到的三大问题进行了研究和优化,找到了解决方法并成功地实现了此产品的量产。具体内容如下： 1.前段ACT layer的机台对准的匹配问题常见逻辑电路的ACT layer往往是整个晶圆生产的第一步,其自身的自对准问题虽然没有受前层影响问题,但本身的对准偏移量会对后层的对准问题带来很多工程控制上的困难,ACT SRAM工作区同样对这种对准要求很高,本节主要介绍光刻工艺中的对准工艺的介绍,对准参数的分析,以及ACT SRAM对准难点问题的解决办法。 2.0.16um SRAM线宽工艺中断线连桥缺陷的优化SRAM工作区的线宽要求很高,本章节先是在光刻过程中从0.16umSRAM产品的特殊性对SRAM工作区断线连桥问题做出工艺改善分析,接下来是从设计weak point系统来杜绝SRAM工作区的断线连桥问题。 3.0.16umSRAM逻辑电路光刻胶卫星缺... 

【文章页数】：54 页

【学位级别】：硕士

【文章目录】：
摘要
Abstract
引言
    第一节 光刻基本原理和光刻技术的发展
    第二节 光刻技术的发展
    第三节 本文研究的主要内容和方向
第二章 工作区图层SRAM的机台对准的匹配问题
    第一节 对准方法和对准补偿模型的介绍
    第二节 0.16um SRAM ACT layer补偿模型量的差异及原因
    第三节 Scanner机台解决对准匹配的方法
第三章 0.16um SRAM线宽工艺中断线连桥缺陷优化
    第一节 SRAM断线连桥缺陷介绍
    第二节 SRAM区域断线连桥缺陷分析
    第三节 对于0.16umSRAM逻辑电路晶圆生产中的优化控制
第四章 0.16umSRAM逻辑电路光刻胶卫星缺陷问题的解决方法
    第一节 关于卫星缺陷的介绍
    第二节 导致卫星缺陷的原因分析
    第三节 解决卫星缺陷的方案
结论
参考文献
后记


【参考文献】：
期刊论文
[1]环化聚丁二烯的合成及其在光刻胶中的应用[J]. 张玉军,郑岩,张明艳.  化学与黏合. 2006(03)
[2]无掩模光刻技术的前景[J]. 翁寿松,缪彩琴.  电子工业专用设备. 2005(08)
[3]浅谈光刻胶在集成电路制造中的应用性能[J]. 马建霞,吴纬国,张庆中,贾宇明.  半导体技术. 2005(06)
[4]光刻对准技术研究进展[J]. 梁友生,曹益平,邢廷文.  电子工业专用设备. 2004(10)
[5]光刻技术在微细加工中的应用[J]. 刘建海,陈开盛,曹庄琪.  半导体技术. 2001(08)

硕士论文
[1]光刻机精细对准方法研究[D]. 梁友生.四川大学 2005



本文编号：3697270