基于RTD的通用逻辑单元设计及其应用

发布时间：2023-01-03 09:20

　　自从上世纪60年代以来,集成电路（IC）产业一直按照摩尔定律所预计的方式高速发展着,现在已成为国民经济中重要的组成部分。然而,随着工艺尺寸的不断缩小,集成度越来越高,互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺正面临着诸多物理瓶颈,如热耗散问题、短沟道效应和量子力学效应等。同时,纳米电子器件,包括单晶体管、共振隧穿二极管（RTD）等,将会成为后CMOS时期集成电路的重要技术之一。 共振隧穿二极管是利用共振隧穿效应制造的高速二端器件,也是目前唯一能够使用常规IC技术设计和制造的纳米电子器件。它具有工作频率高、速度快、电路功耗低、负内阻和自锁等特性,广泛应用于高速低功耗电路设计中。同时,通用逻辑单元作为一种可编程逻辑电路,具有实现功能丰富、设计灵活等特点,是构成大规模集成电路的单元模块。RTD器件因为其特性,非常适合于设计通用逻辑单元。因此,提出有效的RTD通用逻辑单元电路结构和设计方法成为共振隧穿二极管研究领域的重要内容之一 在本文中,首先将谱技术应用到RTD电路设计中,用以区分阈值函数和非阈值函数。根据谱系数在阈值函数中的分布情况,结合单双稳态转换逻辑电路（MOBILE）,设计... 

【文章页数】：122 页

【学位级别】：博士

【部分图文】：

2RTD/HFET器件结构和I一V特性曲线

1四相时钟和RTD级联电路结构

三变量通用闽值逻辑门电路实例及HSPICE仿真表得到电路的接线方式

【参考文献】：
期刊论文
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本文编号：3727188