顿悟体验对创造性问题记忆及解决的影响

发布时间：2020-11-18 20:18

　　 目前顿悟对创造性问题解决及记忆影响的研究,国内外主要关注点在初次顿悟问题解决对再解旧题的影响以及诱发顿悟对旧问题的促进作用。但是对自发顿悟记忆促进效应的脑机制以及顿悟对于新问题解决和记忆的作用还不清楚。本研究在前人基础上,探讨了自发顿悟对于旧问题记忆作用的脑机制以及顿悟对新创造性问题解决和记忆的影响,进一步阐明了顿悟体验在问题解决和记忆中的作用及其心理和神经机制。实验1a采用自发顿悟范式,以19名大学生为被试进行ERP实验,探讨了自发顿悟在记忆优势效应中的核心作用及其神经机制。行为数据表明,相对于非顿悟条件,自发顿悟的再认反应时显著较短,顿悟记忆优势效应存在;问题解决阶段的ERP分析发现,顿悟与非顿悟在问题解决阶段的N400波幅对其再认表现做出了相反预测,这说明顿悟与非顿悟常规记忆编码的脑机制不同,可能存在完全不同的编码机制介导着顿悟与非顿悟项目的记忆编码。再认阶段ERP分析发现,顿悟诱发出新旧效应(Old/New effect,ON),且顿悟与非顿悟的LPC波幅存在显著差异,表明顿悟体验在再认中起重要作用。实验1b以23名大学生为被试,同样采用自发顿悟的范式,探讨了顿悟体验对于后继新创造性问题解决及记忆的作用。结果表明,在问题解决阶段,相对于非顿悟条件,被试对于顿悟问题解决后的下一个问题的解决率更高,反应时更快,情绪体验更强;在再认阶段,相对于非顿悟条件,被试对顿悟问题解决后的记忆效果更好。实验2以41名大学生为被试,采用诱发顿悟范式,探讨了顿悟体验对于后继创造性问题解决及记忆的作用。结果表明,在问题解决阶段,顿悟体验组后续问题的正确解题率显著高于非顿悟组,且其反应时显著快于非顿悟组;在再认阶段,顿悟组后续问题的正确再认率亦显著高于非顿悟组。另外,再认测试时,与非顿悟相比,顿悟组被试对成功解决问题的判断较为宽松。
【学位单位】：河北大学
【学位级别】：硕士
【学位年份】：2019
【中图分类】：B842
【部分图文】：

图 1 本实验共两个阶段，第一阶段为问题解决阶段(Chinese RAT)，第二个阶段为再认阶段(Testing Stage)。第一阶段中让被试解决远距离联想测验。再认阶段让被试进行新旧再认判断。(3) EEG 记录采用 Brain Products 公司的脑电记录和分析系统，按国际 10 ～ 20 系统扩展的 32导的银/氯化银电极帽记录 EEG。在实验记录时，本研究采用左侧乳突 TP9 为参考电极，垂直眼电 (VEOG) 由位于右眼上下眶的电极记录，水平眼电(HEOG)由右眼外侧 1 厘米处安置的电极记录。实验中，保证每个电极处的头皮电阻保持在 5kΩ 以下。滤波带宽为0.05 ～ 100Hz，连续采样频率为 500Hz/导。完成连续记录 EEG 后离线处理数据，离线处理时以双侧乳突的平均值进行重参考。采用 16Hz 低通滤波，自动校正 VEOG 和 HEOG，运动伪迹和其他伪迹所引起的脑电电压超过±80μV 的脑电事件被自动剔除。(4)数据处理采用 SPSS24.0 以及 Brain Products 等对行为数据及脑电结果进行统计分析。

图 2 自发顿悟与非顿悟再认时的反应时及击中率差异(y 轴分别代表反应时(s)和正确率)P 分析将分析时程主要分为两个阶段，问题解决阶段和再认阶段。问题

36) = 3.97, p < 0.05, = 0.18。对问题解决的晚期阶段进行分析(图3)，结果发现，在-800~-400 ms 有显著的半球主效应，F (2,36) = 20.72, p < 0.001, =0.535，右侧半球的平均波幅显著高于左侧和中部，p < 0.001; p < 0.01，并且中部半球的平均波幅也显著高于左侧半球，p < 0.05。区域和半球之间存在显著的交互作用，F (4,72)=7.24, p < 0.001, =0.287。事后检验表明：在前额叶区域，右侧半球的平均电压显著高于中部和左侧半球，p < 0.001，中部半球的平均电压也显著高于左侧半球，p < 0.05；然而在中央区
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本文编号：2889158