锑（Sb）元素对InAs/GaAs量子点纳米材料光学改性作用研究

发布时间：2022-01-27 11:14

　　InAs/GaAs半导体量子点（quantum dots,QDs）许多独特的物理性质,已经被广泛应用于开发新一代光电子器件,深入研究InAs量子点的光电特性以及内部载流子的动力学机制,对于提高和优化各类InAs量子点光电器件的性能具有重要意义。本文将锑（Sb）元素分别加入到InAs/GaAs半导体量子点材料的缓冲层表面、量子点内和覆盖层中等不同位置,利用荧光发射谱（Photoluminescence,PL）、荧光激发谱（Photoluminescence excitation spectrum,PLE）、时间分辨荧光谱（Time-Resolved Photoluminescence,TRPL）等光谱技术系统的研究比较了以上量子点纳米材料的光致荧光特性和光生载流子动力学过程,探讨了Sb元素对InAs/GaAs量子点光学性质的改性作用及内含物理机理。主要研究包括以下三部分:（1）研究了Sb₂束流喷射GaAs缓冲层生长界面对InAs量子点特性的影响。在0.013 ML/s的慢InAs生长条件下,随Sb₂束流喷射时间从0秒增加到100秒,量子点的高度... 

【文章来源】：河北大学河北省

【文章页数】：71 页

【学位级别】：硕士

【部分图文】：

MBE设备原理示意图

W）模式以及岛状生长（VW）模式之间的一种先层状生长后岛状生长的生长模式，如图2-2所示。以InAs/GaAs量子点材料为例，由于二者之间较大的晶格失配度（约7%），InAs首先在清洁的GaAs衬底上以层状方式生长，通过弹性形变来适应两种材料之间的晶格失配。由于应力不断积累增加，当薄膜沉积到一定厚度时，超过临界点，生长方式转变为岛状生长，形成InAs量子点（QDs）。InAs/GaAs量子点生长的临界厚度为1.6原子层（Monolayer，ML），在生长初期形成的较薄的层状结构就是量子点的浸润层（wettinglayer,WL）[1,40]。图2-2InAs/GaAs量子点的S-K生长模式示意图GaAs衬底GaAs衬底GaAs衬底浸润层（WL）InAs量子点（QD）

W）模式以及岛状生长（VW）模式之间的一种先层状生长后岛状生长的生长模式，如图2-2所示。以InAs/GaAs量子点材料为例，由于二者之间较大的晶格失配度（约7%），InAs首先在清洁的GaAs衬底上以层状方式生长，通过弹性形变来适应两种材料之间的晶格失配。由于应力不断积累增加，当薄膜沉积到一定厚度时，超过临界点，生长方式转变为岛状生长，形成InAs量子点（QDs）。InAs/GaAs量子点生长的临界厚度为1.6原子层（Monolayer，ML），在生长初期形成的较薄的层状结构就是量子点的浸润层（wettinglayer,WL）[1,40]。图2-2InAs/GaAs量子点的S-K生长模式示意图GaAs衬底GaAs衬底GaAs衬底浸润层（WL）InAs量子点（QD）

【参考文献】：
期刊论文
[1]量子点制备方法的研究进展[J]. 王忆锋.  红外. 2008(11)



本文编号：3612380