后摩尔时代的微电子研究前沿与发展趋势

发布时间：2021-06-21 05:42

　　集成电路是信息社会的基石,当前集成电路的发展仅靠缩小器件尺寸已经难以为继,未来格局将由后摩尔时代新器件技术决定,其基础研究正面临着新材料、新结构、新原理等诸多挑战。基于国家自然科学基金委员会第231期双清论坛会议成果,本综述围绕超越摩尔定律微电子发展路径中的核心问题,总结了国内外集成电路领域近年来取得的主要研究进展,探讨了以能效、功耗、复杂度、容错度为牵引的后摩尔时代微电子前沿研究方向,分析了我国在该领域亟需关注和解决的重要基础科学问题。 

【文章来源】：中国科学基金. 2020,34(05)北大核心CSCD

【文章页数】：8 页

【图文】：

我国集成电路供需对比[1]

【参考文献】：
期刊论文
[1]加强科技创新是发展我国集成电路产业的关键[J]. 王阳元.  中国集成电路. 2013(03)
[2]微纳电子学科/产业发展历史及规律[J]. 王阳元,王永文.  中国科学:信息科学. 2012(12)
[3]后摩尔时代集成电路的新器件技术[J]. 黄如,黎明,安霞,王润声,蔡一茂.  中国科学:信息科学. 2012(12)



本文编号：3240099