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1. 基于第一性原理的a-Si:H红外特性研究

2. 不同双栅极设计对a-Si:H TFT特性影响

3. 基于温和等离子体处理的a-Si薄膜的钝化研究

4. 排气方式及工艺参数对等离子体刻蚀a-Si均一性的影响

5. 新型等离子束源CVD制备a-Si:H薄膜特性的研究

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8. a-Si/c-Si异质结太阳能电池的制备与性能研究

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10. 非晶硅平板探测器（a-Si EPID）在放射治疗剂量验证中的应用研究