PECVD法制备纳米多孔SiO_x薄膜

发布时间：2018-02-10 09:16

  本文关键词： 多孔SiO_x薄膜 折射率 单体 沉积率　出处：《包装工程》2017年19期 　论文类型：期刊论文

【摘要】：目的研究基于等离子体增强气相化学沉积(PECVD)制备多孔SiO_x薄膜的方法。方法以六甲基二硅氧烷(HMDSO)为单体,并通入氧气、氩气,再加入少量的有机物质,通过辉光放电的方式形成等离子体,从而在玻璃基材表面沉积,制备出氧化硅薄膜,再在高温下进行热处理,使氧化硅薄膜中的碳氢键等有机组分被除去,形成孔隙。研究单体与氧气的比例、沉积时间、沉积功率等实验条件对沉积率、形貌、结构以及折射率的影响。结果当放电时间为10 min,放电功率为50 W,氧气与单体的体积比为1，

本文编号：1500177