1064nm高反射膜的PECVD法制备及其抗激光损伤性能

发布时间：2018-02-13 10:04

  本文关键词： 薄膜 PECVD 高反膜 损伤阈值　出处：《应用激光》2017年02期 　论文类型：期刊论文

【摘要】：采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法制备氮化硅(SiNx)和含氟氧化硅(SiOxFy)薄膜,探讨了薄膜材料的最佳制备工艺参数,明确了薄膜光学特性与气体流量、射频功率、反应压强等制备工艺参数的关系;设计并制备了1 064nm高反射膜,并与PVD法制备的Ta_2O_5/SiO_2高反膜进行对比,结果表明,其反射率在99.0%左右时,PECVD法制备的高反膜具有较高的抗激光损伤阈值,约为PVD法的2倍。
[Abstract]:silicon nitride ( sinx ) and fluorine - containing silicon oxide ( SiOxFy ) films were prepared by plasma enhanced chemical vapor deposition ( PECVD ) . The optimum technological parameters of thin film materials were discussed .

【作者单位】： 西安工业大学光电工程学院;陕西省薄膜技术与光学检测重点实验室;
【基金】：陕西省教育厅重点实验室科研计划资助项目(项目编号:16JS037)
【分类号】：O484

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本文编号：1507901