射频磁控溅射法制备GZO:Ti薄膜的微结构及其光学性质

发布时间：2018-04-02 00:15

本文选题：镓钛共掺杂氧化锌(GZO　切入点：Ti)薄膜　出处：《光电子·激光》2017年11期

【摘要】：采用射频(RF)磁控溅射工艺于玻璃衬底沉积了镓钛共掺杂氧化锌(GZO:Ti)半导体薄膜,研究了沉积温度对薄膜微观结构和光学性质的影响。通过X射线衍射仪(XRD)和紫外分光光度计对其晶体结构和透射光谱特性进行表征,同时利用光谱拟合法获取了薄膜的光学常数。研究结果表明,所有薄膜均具备六角纤锌矿结构和c轴择优取向特性,沉积温度对薄膜的微结构参数、光学常数和光学带隙具有明显调控作用,当沉积温度为653K时,GZO:Ti薄膜的晶粒尺寸最大(82.12nm)、位错密度最低(1.48×10~(-4) nm~(-2))、微应变最小(0.001 4)、可见光区平均透射率最高(82.06%)及光学带隙值最大(3.57eV)。
[Abstract]:Gallium and titanium co-doped ZnO GZO / Ti semiconductor thin films were deposited on glass substrates by RF magnetron sputtering. The effect of deposition temperature on the microstructure and optical properties of the films was investigated.The crystal structure and transmission spectrum of the films were characterized by X-ray diffractometer (XRD) and ultraviolet spectrophotometer. The optical constants of the films were obtained by spectral fitting method.The results show that all the films have hexagonal wurtzite structure and c-axis preferred orientation, and the deposition temperature has a significant effect on the microstructural parameters, optical constants and optical band gaps of the films.When the deposition temperature is 653K, the maximum grain size is 82.12nm / m, the lowest dislocation density is 1.48 脳 10 ~ (-4) nm ~ (-2), the minimum strain is 0.001 ~ (4), the highest average transmittance in visible region is 82.06), and the maximum optical band gap is 3.57 EV ~ (-1).
【作者单位】：湖北民族学院理学院;湖北民族学院信息工程学院;
【基金】：国家自然科学基金(11504101,11364018)资助项目
【分类号】：O484

【相似文献】

相关会议论文前10条

1 马孜;肖琦;姚德武;;薄膜光学监控信号的数字信号处理[A];2004年光学仪器研讨会论文集[C];2004年

2 张为权;;双轴晶体薄膜光学隧道效应[A];'99十一省（市）光学学术会议论文集[C];1999年

3 陈凯;崔明启;郑雷;赵屹东;;遗传算法在软X射线薄膜反射率多参数拟合中的应用[A];第13届全国计算机、网络在现代科学技术领域的应用学术会议论文集[C];2007年

4 魏启珂;肖波;叶龙强;江波;;Sol-Gel法制备纳米二氧化钛功能性薄膜[A];第七届中国功能材料及其应用学术会议论文集（第5分册）[C];2010年

5 范芸;唐武;翁小龙;邓龙江;;氧分量对WO_x薄膜红外光谱性能的影响[A];2008全国功能材料科技与产业高层论坛论文集[C];2008年

6 周红;隋成华;陈乃波;许晓军;魏高尧;蔡萍根;;在蓝宝石光纤端面上生长ZnO薄膜的方法及光学性能分析[A];光子科技创新与产业化——长三角光子科技创新论坛暨2006年安徽博士科技论坛论文集[C];2006年

7 邢晓;王文军;张栋;刘云龙;高学喜;张丙元;;生长温度与氧压对LMBE制备纳米TiO_2薄膜的影响[A];中国光学学会2011年学术大会摘要集[C];2011年

8 梁爱凤;杨化伟;王宇钢;;磁控溅射与离子镀技术在高分子核孔膜中的沉积形貌研究[A];2008年全国荷电粒子源、粒子束学术会议暨中国电工技术学会第十二届电子束离子束学术年会、中国电子学会焊接专业委员会第九届全国电子束焊接学术交流会、粒子加速器学会第十一届全国离子源学术交流会、中国机械工程学会焊接分会2008年全国高能束加工技术研讨会、北京电机工程学会第十届粒子加速器学术交流会论文集[C];2008年

9 杨种田;杨兵;周霖;刘传胜;叶明生;付德君;;多弧-中频磁控溅射沉积Ti-Si-N结构与性能[A];2008年全国荷电粒子源、粒子束学术会议暨中国电工技术学会第十二届电子束离子束学术年会、中国电子学会焊接专业委员会第九届全国电子束焊接学术交流会、粒子加速器学会第十一届全国离子源学术交流会、中国机械工程学会焊接分会2008年全国高能束加工技术研讨会、北京电机工程学会第十届粒子加速器学术交流会论文集[C];2008年

10 王军生;童洪辉;赵嘉学;韩大凯;戴彬;;影响磁控溅射均匀性的因素[A];第十三届全国等离子体科学技术会议论文集[C];2007年