非晶ZnTiSnO薄膜的溶液燃烧法制备与TFT器件性能

发布时间：2018-04-16 00:32

  本文选题：溶液燃烧法 + ZnTiSnO薄膜　； 参考：《材料科学与工程学报》2017年02期

【摘要】：本文采用溶液燃烧法,在较低温度下成功制备出非晶ZnTiSnO(ZTTO)薄膜,用作沟道层制备薄膜晶体管(TFT)。研究了Ti掺入对薄膜的结构、光学性能、元素化学态以及对TFT器件电学性能影响。研究结果表明,所制得的ZTTO薄膜均为非晶结构,可见光透过率大于84%;适量Ti的掺入可作为载流子抑制剂有效降低薄膜中的氧空位缺陷浓度,从而提升TFT器件性能。当Zn/Ti摩尔百分比为30/1时,ZTTO TFT性能良好,开关比可达3.54×10~5。
[Abstract]:This paper adopts a solution combustion method, successfully prepared amorphous ZnTiSnO at low temperature (ZTTO) thin film is used as the channel layer for the preparation of thin film transistor (TFT). The incorporation of Ti structure on the optical properties of the films, chemical state of element and the influence on the electrical performance of TFT devices. The results show that what made ZTTO film is amorphous, visible light transmittance is higher than 84%; the amount of Ti doping can be used as carrier inhibitors effectively reduce oxygen vacancy concentration in the film, so as to enhance the performance of TFT device. When the Zn/Ti molar ratio of 30/1, ZTTO TFT's high performance switch ratio can reach 3.54 * 10~5.

【作者单位】： 浙江大学材料科学与工程学院硅材料国家重点实验室;
【基金】：国家自然科学基金资助项目(51372002)
【分类号】：TN304;TN321.5

【参考文献】

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【共引文献】

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【二级参考文献】

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本文编号：1756519