化学气相沉积法制备Ⅲ族氮化物纳米材料

发布时间：2018-05-27 08:30

  本文选题：Ⅲ族氮化物 + 化学气相沉积　； 参考：《新疆大学》2011年硕士论文

【摘要】：本文主要研究了化学气相沉积法合成Ⅲ族氮化物半导体纳米材料。合成了独立自支撑的一维AlN纳米柱阵列,并在AlN纳米柱阵列上生长包覆了GaN异质结构;生长了InN纳米结构,合成了Sn掺杂的InN纳米结构。 用两步法生长氮化铝(AlN)和氮化镓(GaN)的异质结。第一步,以无水AlCl_3和NH_3气为源,利用做石墨衬底,制备了独立自支撑的一维AlN纳米柱阵列;第二步,以Ga金属和NH_3气为源,在已生成的AlN纳米柱阵列上包覆生长GaN异质结构。分析显示,AlN纳米棒为单晶六方纤锌矿结构,GaN包覆结为闪锌矿结构。用扫描电镜(SEM)测试研究了异质结构的形貌。用高分辨透射电镜(HRTEM)研究了异质结构的生长方向。用光致发光谱(PL)研究了异质结构的的发光特性。 以In_2O_3和NH_3气为源,在原位生长InN纳米结构。将Sn粉和In_2O_3以1:10~1:5的比例为前驱物,以NH_3气为反应气体,制备了Sn掺杂的InN纳米结构。用X射线衍射(XRD)、X射线能量散射谱(EDS)、X-射线荧光光谱(XRF)、SEM、PL等多种表征手段分析产物结构和特性。 用AlCl_3和NH_3气为源制备了自支撑的AlN纳米花状结构,用XRD、SEM、PL对结构和特性进行了表征。 本论文采用的合成路线方法简单,对InN纳米结构的掺杂和AlN/GaN纳米异质结构的生长做了研究,提供了简单制备Ⅲ族氮化物纳米材料的方法。
[Abstract]:In this paper, the synthesis of group 鈪，

本文编号：1941257