庆大霉素损伤条件下大肠杆菌内源过氧化氢对间体膜囊的作用

发布时间：2021-10-07 07:52

　　为了探讨细菌受到抗生素损伤后,内源过氧化氢（H₂O₂）对间体膜囊的影响,通过庆大霉素损伤大肠杆菌。以电导率和丙二醛（MDA）为损伤指标,采用组织化学染色法,通过透射电子显微镜,观察经庆大霉素损伤后大肠杆菌内源H₂O₂和间体膜囊的变化。研究结果表明:庆大霉素损伤可提高大肠杆菌的内源H₂O₂浓度、间体膜囊数量以及间体膜囊周围的H₂O₂浓度。在间体膜囊外排的过程中,使用Tris-HCl蔗糖高渗溶液进行处理之后,H₂O₂浓度显著提升,电导率大幅度降低。庆大霉素和过氧化氢酶处理后,间体膜囊中的MDA浓度升高,损伤加重。庆大霉素损伤导致大肠杆菌的间体膜囊外周聚集大量的H₂O₂,且这些H₂O₂对间体膜囊具有保护作用。 

【文章来源】：河南科技大学学报(自然科学版). 2020,41(05)北大核心

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【部分图文】：

庆大霉素损伤后大肠杆菌内源H2O2浓度随时间的变化

图3为庆大霉素损伤对大肠杆菌内源H2O2和间体膜囊的影响。对比图3a和图3b可知:庆大霉素损伤后,大肠杆菌周围的H2O2沉积量显著提升,并且间体膜囊数量增多。使用Image-Pro Plus7.0图像软件对菌体周围积累的H2O2面积占细胞面积的比例进行二维分析,损伤处理前后的面积占比分别为1.85%和32.05%。图3c和图3d为庆大霉素损伤前后离体的间体膜囊,由图3c和图3d可知:经庆大霉素损伤后,离体间体膜囊外周H2O2沉积显著增加,离体间体膜囊外周H2O2面积与菌体面积之比由54.59%增加至87.45%。上述结果充分表明:庆大霉素所造成的损伤致使大肠杆菌内源H2O2增加,并且间体膜囊聚集大量的H2O2。2.4 间体膜囊外排过程中H2O2和电导率的变化

图4为间体膜囊外排过程中上清液H2O2浓度和电导率变化。由图4可知:通过Tris-HCl蔗糖高渗溶液处理90 min之后,采用荧光光谱法测得间体膜囊外排过程中,上清液的H2O2浓度明显增加,上清液的电导率下降;Tris-HCl蔗糖+溶菌酶处理相较于Tris-HCl蔗糖高渗溶液处理的结果并没有明显区别。说明在Tris-HCl蔗糖高渗溶液处理的90 min内,菌体大量产生内源H2O2,且在此期间细胞膜的损伤程度逐渐减弱。2.5 内源H2O2浓度对间体膜囊MDA浓度的影响


本文编号：3421650