单源聚合物先驱体法制备SiC基复相陶瓷的研究进展
本文关键词：单源聚合物先驱体法制备SiC基复相陶瓷的研究进展 出处：《中国陶瓷》2017年06期 论文类型：期刊论文
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【摘要】：在碳化硅(SiC)陶瓷中引入异质元素可赋予其更优异的性能,如良好的热稳定性和独特的电磁性能。采用单源聚合物先驱体法制备陶瓷,通过合成不同结构的单源聚合物先驱体,可在原子尺度设计、调控陶瓷的组成和微结构等方面,达到优化陶瓷性能的目的。根据近年来的研究成果,介绍了单源聚合物先驱体制备Si-B-C、Si-M-C(M=Ti,Zr,Hf)和Si-M-C(M=Fe,Ni)复相陶瓷的研究动态,并展望了其今后的发展趋势。
[Abstract]:The introduction of heterogeneous elements into sic ceramics can give them better properties, such as good thermal stability and unique electromagnetic properties. The single source polymer precursor method was used to prepare the ceramics. Through the synthesis of single source polymer precursors with different structures, the properties of ceramics can be optimized in the aspects of atomic scale design, ceramic composition and microstructure control, etc. According to the recent research results. The progress in the preparation of Si-B-CnSi-M-C (Si-M-C) and Si-M-C (Mfe-Ni) multiphase ceramics by single source polymer precursor was introduced. The development trend in the future is also prospected.
【作者单位】： 华侨大学材料科学与工程学院;厦门大学特种先进材料实验室;
【基金】：福建省自然科学基金(2015J01205) 华侨大学2016年实验教学改革与建设课题(66661601)
【分类号】：TQ174.1
【正文快照】： 0引言聚合物先驱体陶瓷(PDC)法是指通过聚合物成型—热解得到陶瓷的方法。该方法可对聚合物先驱体进行设计,从而在原子尺度上调控陶瓷的组成(化学组成、相组成)与微结构(纳米/微米结构),获得传统陶瓷工艺难以制备的先进陶瓷材料,因而备受关注[1-4]。碳化硅(Si C)陶瓷具有高强
【参考文献】
相关期刊论文 前5条
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【共引文献】
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3 廖潘兴;黄小忠;杜作娟;王亚玲;施e，
本文编号：1433083
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