双层石墨烯的化学气相沉积法制备及其光电器件

发布时间：2018-01-29 00:58

本文关键词： 双层石墨烯化学气相沉积法器件生长机理　出处：《物理学报》2017年21期 　论文类型：期刊论文

【摘要】：石墨烯是一种具有优异性质,在光电及能源领域具有巨大应用前景的二维材料.尽管单层石墨烯具有超高的迁移率,但是它的能带结构具有狄拉克锥(K点),即价带和导带并未有明显分离,所以在半导体器件方面的应用受到一定的限制.由双层石墨烯搭建而成的双门器件,在施加外加电场的情况下,它的带隙可以打开,并在一定范围内可调,这种性质赋予了双层石墨烯在半导体器件应用方面的前景.然而机械或者液相剥离石墨烯,在层数和大小方面可控性较差.如何通过化学气相沉积法可控制备双层石墨烯是目前研究的核心问题之一.本文主要综述了如何通过化学气相沉积法制备双层石墨烯和制备双层石墨烯器件的一系列工作,其中包括最新的研究进展,对生长机理的研究做了详细的介绍和讨论,并对该领域的发展进行了展望.
[Abstract]:Graphene is a two-dimensional material with excellent properties and potential applications in the fields of photoelectricity and energy. Although the monolayer graphene has high mobility, its energy band structure has Dirac cone K point. That is, there is no obvious separation of valence band and conduction band, so the application of semiconductor devices is limited to a certain extent. Its band gap can be opened and adjustable to a certain extent, which gives the application of double layer graphene in semiconductor devices the prospect. However, mechanical or liquid phase exfoliation of graphene. The preparation of bilayer graphene by chemical vapor deposition (CVD) is one of the core problems. This paper reviews how to prepare bilayer by chemical vapor deposition (CVD). A series of work on ink and preparation of bilayer graphene devices. Including the latest research progress, the research of growth mechanism is introduced and discussed in detail, and the development of this field is prospected.
【作者单位】：中国科学院化学研究所北京分子科学国家实验室中国科学院有机固体重点实验室;中国科学院大学;
【基金】：国家自然科学基金(批准号:21633012,21273243,51233006,61390500) 国家重点研发计划(批准号:2016YFA0200101) 国家重点基础研究发展计划(批准号:2013CB933500,2013CBA01602) 北京市科技计划(批准号:Z161100002116025) 中国科学院先导专项B类项目(批准号:XDB12030100)资助的课题~~
【分类号】：O613.71
【正文快照】： 1引言石墨烯是当前材料世界中的明星.由于其优异的性质,在复合材料、传感、高性能电子器件、柔性器件等领域具有潜在的应用前景.可控制备高质量的石墨烯材料是其应用的瓶颈问题之一,也是当前研究的热点.在各种制备石墨烯的方法中,机械剥离法(mechanical exfoliation)可以获得

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