直流电弧法制备SiC@C核壳型纳米粒子及吸波性能研究

发布时间：2018-03-14 16:35

  本文选题：直流电弧法　切入点：纳米SiC@C复合粒子　出处：《兵器材料科学与工程》2016年06期 　论文类型：期刊论文

【摘要】：采用等离子直流电弧法,在氢气、氩气、甲烷分压分别为10、20、7.5 k Pa的混合气氛下制备纳米SiC@C核壳型复合粒子。利用XRD、Raman对纳米粒子的成分进行表征,用TEM对其形貌进行分析。将纳米SiC@C复合粒子均匀分散在石蜡基体中,在100 MHz~18 GHz频率内测定其复介电常数。结果表明,当电磁波吸收材料匹配厚度为8 mm、测试频率为9.49 GHz时,最大反射损耗能达到-27 d B。对SiC介电特性分析进一步表明,SiC中的C空位(VC)和Si空位(VSi)产生的偶极子发生的弛豫过程和SiC缺陷带来的电导率变化是影响介电性能的关键因素。
[Abstract]:Nanocrystalline SiC@C core-shell composite particles were prepared by plasma DC arc method in a mixed atmosphere of 10207.5KPA in hydrogen, argon and methane, respectively. The morphology of the composite particles was analyzed by TEM. The nanosized SiC@C composite particles were uniformly dispersed in the paraffin matrix. The complex dielectric constant was measured at 100 MHz~18 GHz frequency. The results showed that when the matching thickness of the electromagnetic wave absorbing material was 8 mm and the measuring frequency was 9.49 GHz, The maximum reflection loss can reach -27 dB. The analysis of the dielectric properties of SiC further shows that the relaxation process of dipole and the change of conductivity caused by SiC defects are the key factors affecting the dielectric properties of sic.
【作者单位】： 大连理工大学材料科学与工程学院三束材料改性教育部重点实验室;中国兵器科学研究院宁波分院;
【分类号】：TB34

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本文编号：1612035