ICPECVD法制备氧化硅薄膜的工艺研究
本文选题：等离子体增强型化学气相淀积 + 氧化硅薄膜 ； 参考：《仪表技术与传感器》2016年04期
【摘要】：以SH_4和O_2作为反应气体,利用电感耦合等离子体增强型化学气相淀积(ICPECVD)技术制备了氧化硅薄膜,通过正交试验设计的方法研究了反应室压强、衬底温度和射频功率3个关键工艺参数对氧化硅薄膜淀积速率的影响及其显著性。实验结果表明:反应室压强和射频功率对淀积速率的影响具有高度显著性,各参数对刻蚀速率的影响程度依次为反应室压强射频功率衬底温度,并讨论了所选参数对淀积速率的影响机理。
[Abstract]:Silicon oxide thin films were prepared by inductively coupled plasma-enhanced chemical vapor deposition (ICP-ECVD) using SH_4 and O _ 2 as reaction gases. The pressure of the reaction chamber was studied by orthogonal design. The effects of substrate temperature and RF power on the deposition rate of silicon oxide thin films were investigated. The experimental results show that the influence of the reaction chamber pressure and RF power on the deposition rate is highly significant, and the influence of each parameter on the etching rate is in turn the substrate temperature of the reactive chamber pressure RF power substrate. The influence mechanism of the selected parameters on the deposition rate is also discussed.
【作者单位】： 中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室电子测试技术国防科技重点实验室;
【基金】：国家杰出青年科学基金资助项目(51425505)
【分类号】：TN304.055
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，本文编号：1807730
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