溶剂热法制备Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米晶体

发布时间：2018-05-15 05:36

  本文选题：CdTe + ZnTe　； 参考：《新疆大学》2011年硕士论文

【摘要】：本论文利用溶剂热法,设计了新的反应体系和工艺路线,通过调节实验参数,实现了Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体CdTe, ZnTe, ZnO, CdO纳米晶形貌的可控制合成。采用X射线衍射(XRD),扫描电子显微镜(SEM)及紫外吸收光谱(UV-vis spectra)等测试手段对产物的物相、形貌及光学性能进行了表征。本文的主要研究内容包括以下几个方面: 1.以硼氢化钾(KBH4)为还原剂,氯化镉(CdCl_2·2.5H_2O)、碲粉(Te)为源,使用溶剂热法制备了厚100nm左右,宽200-400nm,长2-3μm的CdTe纳米带。研究了反应温度、镉源、反应时间对产物物相和形貌的影响,并初步推测带状产物形成的机理。 2.以碲(Te)粉与锌(Zn)箔为源,乙二胺为溶剂,利用溶剂热法在Zn箔表面得到了一层闪锌矿ZnTe微米片。微米片边长约2μm,厚300nm左右,片表面粗糙,包含有大量的棒状结构和无定形颗粒。 3.以乙酸锌(Zn(CH_3COO)_2·2H_2O)和氢氧化钠(NaOH)为源,在乙二醇和水的混合溶剂中制备出了纤锌矿纳米花状氧化锌(ZnO)晶体。晶体的大小为600nm左右,单个花瓣长、宽分别约为300nm、100nm。 4.以氯化镉(CdCl_2·2.5H_2O)和氢氧化钠(NaOH)为源,在乙二醇和水的混合溶剂中制备出了氧化镉纳米片,片对角长为0.3-1.5μm,厚80-100nm。
[Abstract]:In this paper, a new reaction system and technological route were designed by solvothermal method. By adjusting the experimental parameters, the controllable synthesis of CdTe, ZnTe, ZnO, CdO nanocrystalline morphology of 鈪，

本文编号：1891221