两步边缘场电泳法制备短沟道高开关比碳纳米管薄膜晶体管

发布时间：2018-05-24 18:32

  本文选题：碳纳米管薄膜 + 金属型　； 参考：《科学通报》2016年21期

【摘要】：正与现有的薄膜晶体管技术相比,碳纳米管薄膜晶体管(CNT-TFT)具有载流子迁移率高、稳定性好、加工温度低、工艺过程简单的优势,因而被认为在显示驱动背板、柔性电子器件及传感器等方面具有广泛的实用前景.通常CNT-TFT的制备多是采用CNT溶液沉积法,在基底上得到的是无序的网络状薄膜,存在大量的CNT交叉结.受CNT材料制备的限制,溶液中通常含有一定比例的金属型CNT,从而有可能形成连接源漏电极的金属
[Abstract]:Compared with the existing thin-film transistor technology, CNT-TFTs have the advantages of high carrier mobility, good stability, low processing temperature and simple process, so CNT-TFTs are considered to be in the display drive backplane. Flexible electronic devices and sensors have a wide range of practical prospects. The preparation of CNT-TFT is usually by CNT solution deposition, and on the substrate, there are a large number of CNT cross-junctions. Limited by the preparation of CNT materials, the solution usually contains a certain proportion of metal CNTs, which may form the metal connected to the source leakage electrode.
【作者单位】： 北京大学纳米器件物理与化学教育部重点实验室;
【分类号】：TN321.5

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本文编号：1930112