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电沉积法制备ZnSe薄膜

发布时间:2018-07-15 15:46
【摘要】: 本文采用恒电位沉积方法在ITO导电玻璃基底上制备ZnSe薄膜。实验中电解质为ZnSO4和SeO2。采用XRD,SEM和红外透过仪表征了薄膜的相成分、结晶形貌、光的透过率。 本实验先用能斯特方程计算出实验条件下的Se和Zn的沉积电位。实验过程中,研究了沉积电位、溶液的搅拌、支持电解质等条件对沉积的影响。结果表明,搅拌溶液能促进薄膜的生成;支持电解质的加入使薄膜的结晶更致密;沉积电势直接决定薄膜能否生成。 对于生产的薄膜,测试得出任何条件下制备出的薄膜中都有过量的非晶态的Se。我们在N2气氛中通过烧结,能出去表面的Se,但是不能完全除去该物质。
[Abstract]:ZnSe thin films were prepared on ITO substrates by potentiostatic deposition. The electrolytes were ZnSO4 and SeO2. The phase composition, crystal morphology and light transmittance of the films were characterized by XRDX SEM and infrared transmittance instrument. In this experiment, the deposition potentials of se and Zn under experimental conditions were calculated by Nernst equation. During the experiment, the effects of deposition potential, stirring of solution and supporting electrolyte on deposition were studied. The results show that the stirring solution can promote the formation of the film, the addition of supporting electrolyte makes the film crystal denser, and the deposition potential directly determines whether the film can be formed. For the films produced, it is found that there is excess amorphous See in the films prepared under any conditions. We sintered in N _ 2 atmosphere and can get out of the surface of See, but we can not completely remove the substance.
【学位授予单位】:长春理工大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2010
【分类号】:TB383.2

【参考文献】

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本文编号:2124581

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