一定强度静磁场可促进许旺细胞快速分泌神经生长因子

发布时间：2017-11-24 22:23

  本文关键词：一定强度静磁场可促进许旺细胞快速分泌神经生长因子

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【摘要】：背景:国内外对静磁场加载许旺细胞的研究较少,对其产生的生物学效应尚不清楚。目的:探索静磁场对许旺细胞分泌神经生长因子水平的影响。方法:将传代良好的许旺细胞随机分为3组,分别为0.05 m T静磁场组、0.1 m T静磁场组、空白对照组。从接种第2天即开始静磁场加载,每天曝磁12 h,空白对照组不进行静磁场加载。加载6 d后利用RT-PCR技术检测许旺细胞中神经生长因子m RNA的表达,ELISA技术检测许旺细胞分泌神经生长因子水平。结果与结论:静磁场组培养上清中神经生长因子m RNA的表达和分泌神经生长因子水平显著高于空白对照组(P0.05);0.1 m T静磁场组神经生长因子m RNA的表达和分泌神经生长因子水平虽高于0.05 m T静磁场组,但是差异无显著性意义(P0.05)。结果表明一定强度的静磁场可以促进许旺细胞快速分泌神经生长因子。
【作者单位】： 桂林医学院附属医院骨二科;
【基金】：国家自然科学基金项目(81460198),项目名称:EZH2基因对神经干细胞修复脊髓损伤的表观调控作用及机制研究 广西卫生和计划生育委员会自筹经费科研课题(Z2015400),课题名称:静磁场对血旺细胞体外扩增的影响~~
【分类号】：R329.2
【正文快照】： 0引言Introduction神经生长因子(nerve growth factor,NGF)是神经系统中最重要的生物活性因子之一,在周围神经损伤中具有促进神经细胞分化、决定轴突生长方向的作用[1-2]。在一定条件下体外增殖培养的许旺细胞,可以合成分泌一定量的神经生长因子,但传统的培养方法细胞增殖缓慢

【参考文献】

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