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质量成本控制——减少硅外延电阻率测试频次的实验研究

发布时间:2020-11-03 15:01
   质量成本包括预防成本、鉴定成本、内部损失成本和外部损失成本等内容,通过数据分析讨论减少硅外延电阻率测试频次的可行性。经分析发现,在LPE3061D外延炉批量生产硅外延片的过程中,掺杂效率稳定,产品在正常生产过程中,整批次的掺杂剂用量调节幅度相对较小,由其引起的电阻率变化不会大幅度超出控制线。以此为依据将测试频次由每24片测试1片更改为每48片测试1片,按产量统计每年可节省约4 000片硅抛光片,降低鉴定成本约40万元,并且提高了硅外延片出片率。
【部分图文】:

炉结,设备,企业主


沉积硅外延设备为意大利洛佩诗(LPE)公司生产的PE-LPE3061D平板式硅外延炉,基本结构如图1所示。该硅外延炉采用高频感应加热方式,具有维护简单,生产效率高的特点,是目前各硅外延制造企业主流的6~8 in(in=25.4 mm,下同)硅外延片的生产设备。此设备为单圈平板炉,每炉壳生产6 in产品8片。1.2 硅外延工艺

统计图,规格,统计图,用量


如图3所示,10μm厚度规格产品与5μm厚度规格产品雷同,35批生产中掺杂剂用量变化<2 sccm的批次占97%,对应的电阻率变化为0.055?·cm,该产品电阻率检验容限范围是0.1?·cm,电阻率调节幅度小于管控范围;另外,掺杂剂用量变化超过2 sccm的只有1次占3%,其值为2.63 sccm,这次调节是由于测试设备不稳造成的调节幅度过大,而非外延炉掺杂效率不稳。图3 10μm厚度规格掺杂剂用量变化统计图

统计图,统计图,规格,用量


10μm厚度规格掺杂剂用量变化统计图
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本文编号:2868734

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